Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"J. Melai"'
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ed02e9f82c148938f52d7eb9cdeb5dc
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118006
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118006
Publikováno v:
2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD).
This paper introduces a new methodology to determine the small signal linearity of a device directly from 2-port Y-parameters. With that approach, a 10-fold reduction of the simulation time in a comparison with traditional transient or harmonic balan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f62f142ee0eff7da0f780adcc50d1d4
https://doi.org/10.1109/sispad.2015.7292289
https://doi.org/10.1109/sispad.2015.7292289
Publikováno v:
Asian-Australasian Journal of Animal Sciences. 18:1634-1641
Generally, dietary fibre (DF) includes lignin, non-starch polysaccharides (NSP) and resistant starch (RS). In monogastric species, low levels of dietary fibre in the diet are associated with various diseases and high levels reduce nutrient digestibil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ecf2c1baf74af5707345814d302e883
https://doi.org/10.5713/ajas.2005.1634
https://doi.org/10.5713/ajas.2005.1634
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 51:1108-1113
A new vertical trench SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) is proposed that improves the tradeoff between the cutoff frequency (f/sub T/) and the off-state collector-base breakdown voltage (BV/sub cbo/). Extensive device simulations show that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b2f63d9fddd6a388fae560b5a3121b3b
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829867
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829867
Autor:
Angel Rodríguez, T. Nesheiwat, N. Zhang, F. Neuilly, Francis Zaato, E. Hijzen, J. Melai, HongJiang Sun, W.D. van Noort
Publikováno v:
Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008)., 93-96
STARTPAGE=93;ENDPAGE=96;TITLE=Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008).
STARTPAGE=93;ENDPAGE=96;TITLE=Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008).
The third generation of NXP 0.25 mum SiGe BiCMOS technology (QUBiC4Xi) is presented. The NPN has fT/fmax of 216/177 GHz and BVcb0 of 5.2 V. The high-voltage NPN has 12 V BVcb0, and fT/fmax of 80/162 GHz. This is complemented with an improved MIM capa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::86430482946b9573c17526c7f37ea762
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662720
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662720
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.