Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"J. Mazuir"'
Autor:
M. Saadaoui, Karim Inal, Jean-Luc Liotard, Jean-Charles Souriau, J. Mazuir, Laetitia Castagne, M. Su, F. Le Texier
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 106:139-143
In order to develop 'More-than-Moore' technologies, interconnection by Through-Silicon Via (TSV) is a promising candidate, but TSV leads to fabrication and mechanical issues. In this paper, mechanical stress analysis in silicon surrounding [email pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7520849dac56bfafa6c026ec764f8404
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.018
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.018
Autor:
G. Parès, J. Mazuir, F. de Crecy, N. Sillon, L.L. Chapelon, Stephane Moreau, András Borbély, C. Maurice
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Through Silicon Via (TSV) is a key enabling technology for 3D stacking. One of the main concerns regarding the TSV introduction inside the IC fabrication is the resulting stress build up in the silicon substrate that may induce warpage or expansion a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::63571d59e5e8547204f31d10e091c682
https://doi.org/10.4071/isom-2011-tp6-paper1
https://doi.org/10.4071/isom-2011-tp6-paper1
Autor:
J. Noiray, J. Mazuir, C. Bouvier, M. Saadaoui, A. Planchais, G. Simon, G. Pares, K. Martinschitz
Publikováno v:
2012 IEEE 14th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC).
Fan-Out wafer level packaging (eWLP) has been proven to be a valuable solution for producing compact multi-die packages with high performances and is from now on in volume production[1–3]. Known good dies are rebuilt in a molding compound matrix wa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::642099c03738c651463a8334ce76e871
https://doi.org/10.1109/eptc.2012.6507097
https://doi.org/10.1109/eptc.2012.6507097
Publikováno v:
2011 IEEE 13th Electronics Packaging Technology Conference.
In this paper, we focus on a method to evaluate and to optimize the die shift that occurs during epoxy molding for embedded wafer level technology (eWLB), basically by adjusting the adhesion level of silicon dies on top of the temporary carrier suppo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::281f3e4c25bcc6681000d1352aca2971
https://doi.org/10.1109/eptc.2011.6184519
https://doi.org/10.1109/eptc.2011.6184519
Publikováno v:
Actes de conférence IEEE
International Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization 2011
International Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization 2011, May 2011, Dresde, Germany. pp.1-3, ⟨10.1109/IITC.2011.5940351⟩
International Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization 2011
International Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization 2011, May 2011, Dresde, Germany. pp.1-3, ⟨10.1109/IITC.2011.5940351⟩
Stress concentration in through-silicon via (TSV) is studied by a calibrated micro-Raman spectroscopy (μRS) and correlated with numerical simulation. Results show that stress concentration is in transverse direction and it depends on the ratio of vi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0b63a79d661f1a97d048b8337fd08c44
https://doi.org/10.1109/iitc.2011.5940351
https://doi.org/10.1109/iitc.2011.5940351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.