Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"J. Matsufusa"'
Autor:
Y. Hayashide, M. Asakura, T. Katayama, A. Yoshida, Tsuyoshi Horikawa, Teruo Shibano, K. Sato, Hiroshi Kimura, T. Maruyama, S. Kishimura, Y. Ohno, T. Nishimura, H. Sumitani, K. Moriizumi, K. Namba, Hirokazu Miyoshi, H. Itoh, Shin'ichi Satoh, Takahisa Eimori, J. Matsufusa
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
Thin film of (Ba/sub 0.75/Sr/sub 0.25/)TiO/sub 3/ with equivalent SiO/sub 2/ thickness of 0.47 nm has been developed for capacitor dielectric film of 256 Mbit DRAM. A novel cell design named FOGOS (FOlded Global and Open Segment bit-line cell) struct
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.