Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"J. M. ROUTOURE"'
Autor:
C. Adamo, L. Méchin, T. Heeg, M. Katz, S. Mercone, B. Guillet, S. Wu, J.-M. Routoure, J. Schubert, W. Zander, R. Misra, P. Schiffer, X. Q. Pan, D. G. Schlom
Publikováno v:
APL Materials, Vol 3, Iss 6, Pp 062504-062504-10 (2015)
We investigate the suitability of an epitaxial CaTiO3 buffer layer deposited onto (100) Si by reactive molecular-beam epitaxy (MBE) for the epitaxial integration of the colossal magnetoresistive material La0.7Sr0.3MnO3 with silicon. The magnetic and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c3c5f6bcefc4b87a4cd0bc1103ab4fd
Autor:
A Benfdila, Abdelkarim Mercha, Rachida Talmat, Eddy Simoen, J-M. Routoure, C. Claeys, Régis Carin, Nadine Collaert, H. Achour, Bogdan Cretu
Publikováno v:
2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations.
This paper aims at the studying the low frequency noise from 100 K up to room temperature in n- and p-channel triple-gate FinFET transistors with 25 nm fin-width, 65 nm fin-height, a high-k dielectric / metal gate stack, strained and unstrained subst
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::803b8d28f58cf71c6f5dff8178eb599e
https://doi.org/10.1109/icnf.2011.5994281
https://doi.org/10.1109/icnf.2011.5994281
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
We report systematic measurements of low frequency noise performed at room temperature in La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) thin films (thickness = 150 nm) patterned with different lengths (50 μm to 300 μm) and widths (20 μm to 400 μm). Noise measurements we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::830cd18ea90beb05e58e653e27d72b37
https://doi.org/10.1063/1.3140410
https://doi.org/10.1063/1.3140410
Autor:
W. Guo, R. Talmat, B. Cretu, J.-M. Routoure, R. Carin, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys, Massimo Macucci, Giovanni Basso
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
The aim of this paper is to investigate the low‐frequency noise behavior in p‐channel SOI FinFETs processed with different strain techniques. An unusual noise behavior was observed for all devices studied. This unusual noise was investigated for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c284b3144e2b5ab072a30ff81b61d87c
https://doi.org/10.1063/1.3140454
https://doi.org/10.1063/1.3140454
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.