Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"J. M. Fabbri"'
Autor:
G. Audoit, J.-M. Fabbri, J. Bertheau, H. Dansas, Pierre Bleuet, E. Lay, Yves Dabin, Adeline Grenier, Georg Haberfehlner, B. Florin, P. Gergaud, Julie Villanova, Jean-Paul Barnes, R. Serra, Jérôme Laurencin
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 19:726-739
Tomography is a standard and invaluable technique that covers a large range of length scales. It gives access to the inner morphology of specimens and to the three-dimensional (3D) distribution of physical quantities such as elemental composition, cr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ccb72d8dd1cbca7e5ecff77d7c65b960
https://doi.org/10.1017/s1431927613000330
https://doi.org/10.1017/s1431927613000330
Autor:
Sebastien Hentz, Christophe Poulain, D. Muyard, D. Larmagnac, Carine Ladner, Sebastien Kerdiles, Thomas Ernst, P. Brianceau, T. Moffitt, G. Rodriguez, Olivier Pollet, Patrice Gergaud, G. Rabille, Marc Sansa, J. M. Fabbri, K. Benedetto, P. Besombes, Laurent Duraffourg, B. Adams, A. I. Vidana, Issam Ouerghi, Willy Ludurczak
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
In this work, we demonstrate for the first time the performance of polysilicon (poly-Si) NEMS fabricated with a low temperature process compatible with a NEMS above IC 3D integration. Most important figures of merit feature values still competitive i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10d6d7a2552ccfd19e5ccee517aa2d11
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409726
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409726
Autor:
B. Saidi, J.-M. Fabbri, R. Gassilloud, Eugénie Martinez, P. Caubet, Fabien Piallat, Sylvie Schamm-Chardon, M. Veillerot
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Elsevier, 2015, 203, pp.1-7. 〈10.1016/j.elspec.2015.04.022〉
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2015, 203, pp.1-7. ⟨10.1016/j.elspec.2015.04.022⟩
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Elsevier, 2015, 203, pp.1-7. ⟨10.1016/j.elspec.2015.04.022⟩
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Elsevier, 2015, 203, pp.1-7. 〈10.1016/j.elspec.2015.04.022〉
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2015, 203, pp.1-7. ⟨10.1016/j.elspec.2015.04.022⟩
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Elsevier, 2015, 203, pp.1-7. ⟨10.1016/j.elspec.2015.04.022⟩
cited By 0; International audience; Abstract Downscaling of transistors beyond the 14 nm technological node requires the implementation of new architectures and materials. Advanced characterization methods are needed to gain information about the che
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::30ce1de9e35d79136d02b044b900ca78
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01720448
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01720448
Autor:
M. Py, M. Veillerot, E. Martinez, J. M. Fabbri, R. Boujamaa, J. P. Barnes, F. Bertin, David G. Seiler, Alain C. Diebold, Robert McDonald, Amal Chabli, Erik M. Secula
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Backside sample preparation is a well known method to help circumvent undesired effects and artifacts in the analysis of a sample or device structure. However it remains challenging in the case of thin layers analysis since only a fraction of the ori
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4bda4ce3b70d8533b5717339d6eac4fc
https://doi.org/10.1063/1.3657885
https://doi.org/10.1063/1.3657885
Autor:
J.-M. Fabbri, D. Lafond, Claudia Wiemer, Sandrine Lhostis, Michele Perego, V. Loup, Eugénie Martinez, C. Gaumer
Publikováno v:
Journal of the Electrochemical Society (Online) 156 (2009): G78–G83. doi:10.1149/1.3125723
info:cnr-pdr/source/autori:C. Gaumer, E. Martinez, S. Lhostis, C. Wiemer, M. Perego, V. Loup, D. Lafond, J.-M. Fabbri/titolo:Chemical and Structural Properties of a TaN%2FHfO2 Gate Stack Processed Using Atomic Vapor Deposition/doi:10.1149%2F1.3125723/rivista:Journal of the Electrochemical Society (Online)/anno:2009/pagina_da:G78/pagina_a:G83/intervallo_pagine:G78–G83/volume:156
info:cnr-pdr/source/autori:C. Gaumer, E. Martinez, S. Lhostis, C. Wiemer, M. Perego, V. Loup, D. Lafond, J.-M. Fabbri/titolo:Chemical and Structural Properties of a TaN%2FHfO2 Gate Stack Processed Using Atomic Vapor Deposition/doi:10.1149%2F1.3125723/rivista:Journal of the Electrochemical Society (Online)/anno:2009/pagina_da:G78/pagina_a:G83/intervallo_pagine:G78–G83/volume:156
In this work, we investigate the crystalline structure and the chemical properties of a "metal/high k" gate stack with TaN as the gate electrode and HfO 2 as the dielectric. Both TaN and HfO 2 were deposited using atomic vapor deposition. We show tha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d26246a0c84b6a1ecbd45198bf6ce1a3
https://publications.cnr.it/doc/233803
https://publications.cnr.it/doc/233803
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.