Zobrazeno 1 - 10
of 293
pro vyhledávání: '"J. Linnros"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica C: Superconductivity. 308:221-225
The electrical properties of epitaxial lead titanate PbTiO 3 (PTO) and high T c superconductor Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7− x (YBCO) heterostructures have been studied by I – V and C – V techniques. The leakage current is identified to be controlled by t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::996c31b39c71db0b20b8adf79ee056c3
https://doi.org/10.1016/s0921-4534(98)00551-6
https://doi.org/10.1016/s0921-4534(98)00551-6
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:1174-1179
The forward voltage drop for individual segments of a large area thyristor has been correlated to the local, bulk carrier lifetime by lifetime mapping of the the wafer after final device processing. The lifetime mapping was performed under high injec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf1002705a7f456adba2ffea565d8ea4
https://doi.org/10.1109/16.387253
https://doi.org/10.1109/16.387253
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Residual stress and carrier lifetime variation have been measured in free‐standing n‐type 3C‐SiC wafer grown on undulated Si substrate. We identify extended regions of residual stress that lie parallel to epilayer surfaces. The opposite polarit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac90318bfe0e2c3924356928507d986e
https://doi.org/10.1063/1.3518320
https://doi.org/10.1063/1.3518320
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:295-297
The first direct measurements of electrically injected carrier distributions in the base of 4H-SiC power diodes are reported. A novel approach of combining micron-resolution free-carrier absorption technique with optical imaging of e-h recombination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcab913e3ca9c36c1ff72d927166bfd4
https://doi.org/10.1109/55.767103
https://doi.org/10.1109/55.767103
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest].
Depth-resolved carrier lifetime profiles of proton-irradiated thyristors have been derived using a noncontact, optical pump/probe method. The results show that the depth distribution of recombination centra is sharply peaked at the ion range, althoug
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4d7325fce46c0eb230c4c00095fff3f
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235477
https://doi.org/10.1109/iedm.1991.235477
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.