Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"J. Lindolf"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 37:969-972
Schottky-barrier tunneling junctions have been prepared on Si (100) layers with the sequence p-type buffer, Sb δ-doping layer, and an intrinsic layer ranging from 10 to 20 nm thickness. The tunneling characteristics show structures arising from subb
Publikováno v:
Surface Science. 305:633-636
Electron quantum wires on Si surfaces have been prepared at the boundary between a Schottky contact and an MOS structure with electron inversion layer at the Si-SiO 2 interface. In tunneling from the metal into the inversion layer and vice versa the
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 22:105-108
The contact resistence R c of Yb-SiO 2 -Si tunneling junctions with a barrier thickness ranging from 1.0 to 2.8 nm is studied as a function of temperature. About 1.5 nm R c shows a distinct minimum, which indicates the transition from MOS tunneling w
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 69:3860-3864
The conditions for the preparation of nominally undoped semi‐insulating (SI) InP wafers by annealing under controlled phosphorus pressure are described. It is demonstrated by the results of electrical profile measurements (differential Hall effect)
Autor:
Matthias Goldbach, B. Uhlig, Erhard Landgraf, G. Ilicali, M. Stadele, Jorg Radecker, J. Lindolf, S. Finsterbusch
Publikováno v:
2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Based on a detailed I-V analysis, 2D/3D process/device simulation, and inline wafer bow measurements, we have investigated a number of stress-induced layout effects on MOSFET performance caused by hybrid STI fills (HARP/HDP and SOG/HDP). Variations o
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
A single cell failure (SCF) is a common fail signature in dynamic random access memories (DRAMs). Generally write and read problems can be observed if a cell capacitor is not connected properly to its bitline. If the critical resistance of this conne
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.