Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J. Lin-Kwang"'
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 40:1497-1502
Spreading resistance profiling (SRP) has the unique ability to measure doping profiles through multiple junctions, to essentially unlimited depths and over a range of densities from 1010 to 1021 /cm3. This range and flexibility makes the technique id
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b8c7284f716e6d34203c3ae63c198fb
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00109-8
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00109-8
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 34:1283-1289
A methodology for the application of two-dimensional (2-D) device simulation to electrostatic discharge (ESD) events is presented. Correlation of ESD simulation results with experimental data is illustrated using a grounded base n-p-n transistor. It
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a9e07c38972507cde59f0874e2e8773
https://doi.org/10.1109/4.782089
https://doi.org/10.1109/4.782089
Publikováno v:
Proceedings of the 1998 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.98CH36198).
In this paper, we first present a methodology for the application of two-dimensional device simulation to ESD events. The correlation of ESD simulation results with experimental data is illustrated by the example of a grounded base n-p-n transistor.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e00431472f78c9035f19c67776e6ac32
https://doi.org/10.1109/bipol.1998.741922
https://doi.org/10.1109/bipol.1998.741922
Autor:
Patrice M. Parris, E. Hemon, O. Perat, F. Cotdeloup, Thierry Sicard, S. Debortoii, J. Lin-Kwang, Eric Carman, H. Chaffai
Publikováno v:
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094).
Smart power integrated circuits need low density memory for applications such as trimming, IC customization, system addresses, and part traceability with few program/erase cycles. Memory solutions must be low cost and demonstrate high reliability in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e00b8160784c50c51ffc817a2368e144
https://doi.org/10.1109/ispsd.2000.856800
https://doi.org/10.1109/ispsd.2000.856800
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 88:3968
Microwave energy is used during the implantation-annealing process of semiconductors where it is shown that the implant ion damage anneal takes place at the same time as the implantation step. The microwave energy is observed to be focused within the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce09a126cbf3d347bc4de523214b5841
https://doi.org/10.1063/1.1289218
https://doi.org/10.1063/1.1289218
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.