Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"J. Krumrain"'
Autor:
Martin R. Lenze, Thorsten Erich Umbach, Hannah Bürckstümmer, Vera Steinmann, Frank Würthner, Klaus Meerholz, J. Krumrain, Martin Schädel
Publikováno v:
Organic Electronics. 14:2029-2033
We present a merocyanine:C 60 /zinc phthalocyanine:C 60 tandem solar cell, comprising two complementary absorbing bulk heterojunction subcells connected in series. High-efficiency devices were realized in a rather simple tandem setup, consisting of o
Publikováno v:
Crystal Growth & Design. 12:6098-6103
Layered materials such as graphene, bi-, and multilayer graphene as well as various compounds of topological insulators are currently in the focus of interest due to their extraordinary physical properties related to Dirac surface states. The ability
Autor:
J. Krumrain, Detlev Grützmacher, Svetlana Borisova, Claus M. Schneider, Lukasz Plucinski, Toma Stoica, Gregor Mussler
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 324:115-118
We investigated the growth of the topological insulator Bi 2 Te 3 on Si(1 1 1) substrates by means of molecular-beam epitaxy (MBE). The substrate temperature as well as the Bi and Te beam-equivalent pressure (BEP) was varied in a large range. The str
Autor:
J. Krumrain, A. Herdt, Detlev Grützmacher, Stefan Blügel, Claus M. Schneider, Sven Döring, Gustav Bihlmayer, Lukasz Plucinski, Gregor Mussler
Publikováno v:
Physical Review B. 87
The magnitude of electron spin polarization in topologically protected surface states is an important parameter with respect to spintronics applications. In order to analyze the warped spin texture in Bi${}_{2}$Te${}_{3}$ thin films, we combine angle
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Topological insulator Bi2Te3 films have been grown by molecular beam epitaxy on Si (111) substrates. The structural properties of the ultra-thin films and their evolution in morphology during the growth have been investigated. The growth starts by a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.