Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"J. Kolodzey"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. KOLODZEY, T. N. ADAM, R. T. TROEGER, P.-C. LV, S. K. RAY, I. YASSIEVICH, M. ODNOBLYUDOV, M. KAGAN
Publikováno v:
International Journal of Nanoscience. :171-176
Terahertz (THz) electroluminescence was produced by three different types of sources: intersubband transitions in silicon germanium quantum wells, resonant state transitions in boron-doped strained silicon germanium layers, and hydrogenic transitions
Publikováno v:
Physical Review B. 60:15150-15153
The incorporation of substitutional C into Ge is studied theoretically with an anharmonic Keating model fitted to recent experimental data and specifically adapted to the computation of the structural properties and the lattice dynamics of ${\mathrm{
Publikováno v:
Physical Review B. 59:15753-15759
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2013 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz).
We report on injection induced terahertz electroluminescence from SiC p-n junctions. The emission is assigned to intracenter optical transitions in shallow donors, initiated by the injection.
Publikováno v:
Physical Review B. 84
Publikováno v:
Physical Review B. 84
Tailoring the properties of single spins confined in self-assembled quantum dots (QDs) is critical to the development of new optoelectronic logic devices. However, the range of heterostructure engineering techniques that can be used to control spin p