Zobrazeno 1 - 10
of 316
pro vyhledávání: '"J. Kocka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J, Kocka, D J, Peukert
Publikováno v:
Revue de synthese. 107(1-2)
Autor:
U. Backes-Gellner, J. Baumert, U. Becker, A. Börsch-Supan, J. Ehmer, K. M. Einhäupl, O. Höffe, Reinhard F. J. Hüttl, U. Keil, K. Kochsiek, J. Kocka, M. Kohli, U. Lindenberger, B. Bernhard Müller, J. Nehmer, J. Schnitzer-Ungefug, U. M. Staudinger, E. Steinhagen-Thiessen, G. G. Wagner, G. Wick
Publikováno v:
(Altern in Deutschland ; 9) (Nova acta Leopoldina ; N.F., 371 = Bd. 107)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______156::772e6040f79df44522707b93d28c2b5a
http://gfzpublic.gfz-potsdam.de/pubman/item/escidoc:240287
http://gfzpublic.gfz-potsdam.de/pubman/item/escidoc:240287
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Springer Series in Solid-State Sciences ISBN: 9783642848902
Until now only in few works /1–4/ the methods of nonequilibrium phonon physics are applied to phonon studies in non-crystalline materials. In present work (see also /5/) the luminescent method is used to study the phonon transmittance through thin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3ba4e8e4c38bbac95c73548bb69ebb5
https://doi.org/10.1007/978-3-642-84888-9_104
https://doi.org/10.1007/978-3-642-84888-9_104
Publikováno v:
Physical review. B, Condensed matter. 46(11)
The drift mobility of electrons at low temperatures in amorphous hydrogenated silicon is investigated by time-of-flight and charge-collection measurements. The experiments performed on p-i-n junctions in the temperature range 40T200 K reveal the stro
Autor:
J. Kocka, C. E. Nebel
Publikováno v:
MRS Proceedings. 219
Time-of-flight and charge collection experiments performed on a-Si:H p-i-n structures in the temperature range 40–300K reveal electron drift mobilities which continuously decrease with decreasing temperature and electric field. At 40K, fields ≥ 2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.