Zobrazeno 1 - 10
of 324
pro vyhledávání: '"J. Kočka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 352:2846-2849
We present results of optical pump – terahertz probe experiments applied to a set of thin film silicon samples on sapphire substrates. Structure of the films varied from amorphous to fully microcrystalline. Picosecond time scale evolution of electr
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I. Pelant, K. Luterová, P. Knápek, J. Kočka, J. Stuchlík, A. Poruba, S. Surendan, J. Valenta, J. Dian, B. Hönerlage
Publikováno v:
physica status solidi (a). 165:25-29
(a) Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Cukrovarnick a 10,16200 Praha 6, Czech Republic(b) IPCMS, Groupe d’Optique Nonlin eaire et d’Opto electronique, Unite Mixte 380064,CNRS-ULP-EHICS, F-67037 Strasbourg Cedex, Fran
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:775-777
A new method of fabrication of nanocrystalline silicon-based light-emitting-devices is introduced. Si nanocrystals are derived from combustion or pyrolysis of silane and etched subsequently in a two-phase solution of HF. The p–i–n diodes have an
Publikováno v:
Solid State Communications. 77:475-479
Carrier collection efficiency has been measured from the room temperature down to 15 K as a function of applied electric field (up to 2.5 × 10 5 V cm −1 ) at different excitation wavelengths (450 to 720 nm). More than 50% of photogenerated carrier
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :251-254
Photomodulation spectroscopy was applied to study the changes in the gap state energy distributions of undoped, phosphorus and boron doped a-Si:H by light soaking, thermal quenching and annealing. Light soaking increases the density of dangling bonds
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid State Communications. 75:531-533
Electron drift mobility in a -Si : H is studied in a broad range of temperatures (140–295 K) as a function of electric field up to its extremely high values ( F ≈4 × 10 5 V cm -1 ) on a -Si : H samples with the thickness ( d ) ranging from 1.7 t
Publikováno v:
Tenth E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference ISBN: 9780792313892
The μτ-problem is formulated and documented. The solution of the μτ-problem is qualitatively illustrated by simplified equations which clearly show the difference between the trapping and recombination limited lifetimes. These equations and the r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::928d6e98292ae115fc13e68a8c74da03
https://doi.org/10.1007/978-94-011-3622-8_279
https://doi.org/10.1007/978-94-011-3622-8_279