Zobrazeno 1 - 10
of 217
pro vyhledávání: '"J. Kedzierski"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Toxicology Letters. 368:S237-S238
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:614-617
We present self-consistent solutions of ultrathin body device structures to understand the influence of quantum-mechanical confinement on the predictions of classical scaling theory. We show that two-dimensional (2-D) electrostatics considerations pl
Autor:
John A. Ott, J. Kedzierski, Sufi Zafar, P. Kozlowski, Meikei Ieong, Cyril Cabral, Paul Ronsheim, Diane C. Boyd
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:39-46
Complete gate silicidation has recently been demonstrated as an excellent technique for the integration of metal gates into MOSFETs. From the various silicide gate materials NiSi has been shown to be the most scalable. In this paper, a versatile meth
Publikováno v:
Science. 306:2057-2060
In the next decade, advances in complementary metal-oxide semiconductor fabrication will lead to devices with gate lengths (the region in the device that switches the current flow on and off) below 10 nanometers (nm), as compared with current gate le
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 51:2115-2120
Metal-gate FinFETs were fabricated using complete gate silicidation with Ni, combining the advantages of metal-gate and double-gate transistors. NiSi-gate workfunction control is demonstrated using silicide induced impurity segregation of As, P, and
Autor:
Ronnen Andrew Roy, Meikei Ieong, J. Kedzierski, Diane C. Boyd, David M. Fried, E.J. Nowak, Thomas S. Kanarsky, Ying Zhang, Hon-Sum Philip Wong
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 50:952-958
Double gate devices based upon the FinFET architecture are fabricated, with gate lengths as small as 30 nm. Particular attention is given to minimizing the parasitic series resistance. Angled extension implants and selective silicon epitaxy are inves
Autor:
Yang-Kyu Choi, Jeffrey Bokor, Chenming Hu, Peiqi Xuan, Tsu-Jae King, J. Kedzierski, Nick Lindert, Leland Chang
Publikováno v:
IEEE Circuits and Devices Magazine. 19:35-42
We discuss several device structures suitable for scaling CMOS devices well into the nano-CMOS era, perhaps down below 10 nm physical gate length. The ultra-thin body MOSFET device structure has many features in common with today's bulk MOSFET, which