Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"J. K. Tsai"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Innovation in Design, Communication and Engineering ISBN: 9780429226410
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d9aafd1f25b77ee92a73b7656163de6
https://doi.org/10.1201/b18737-142
https://doi.org/10.1201/b18737-142
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 95:460-465
The surface morphology of GaN epitaxial films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy has been investigated. We found that the surface morphology was sensitive to the N to Ga flux ratio (N/Ga) when grown at a high temperature (i.e., 788 °C).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::387dd1bb9cb481bcdc339f6779ff0f6d
https://doi.org/10.1063/1.1634388
https://doi.org/10.1063/1.1634388
Autor:
J. K. Tsai, J. C. Lin, Y. P. Luo, S. J. Young, Teen-Hang Meen, T. C. Wu, S. J. Chang, B. Y. Lee, K. C. Lee, Liang-Wen Ji, I. T. Tang
Publikováno v:
2014 International Conference on Information Science, Electronics and Electrical Engineering.
In this study, titanium dioxide (TiO 2 ) films were prepared on Corning glass substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering and treated without and with O 2 plasma conditions, and then were used to fabricate metal-semiconductor-metal (MSM)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::290d8b897c2d9d73737efd369bb55905
https://doi.org/10.1109/infoseee.2014.6948069
https://doi.org/10.1109/infoseee.2014.6948069
Publikováno v:
Solid State Communications. 120:155-160
ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se quantum wells (QW) were studied by temperature-dependent photoluminescence (PL) measurement. We observed two PL peaks due to the band-to-band transition in ZnS0.06Se0.94 barrier, E g (0)=2.819 eV , and the transition of hea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66304a2a47166918e7ff9353c0f12715
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00369-6
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00369-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.