Zobrazeno 1 - 10
of 241
pro vyhledávání: '"J. Jagiełło"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dariusz Czolak, Pawel Kaminski, Jaroslaw Gaca, Michal Kozubal, Krystyna Przyborowska, Paweł Piotr Michałowski, A. Dobrowolski, Maciej J. Szary, Tymoteusz Ciuk, Marek Wojcik, Wawrzyniec Kaszub, Adrianna Chamryga, Beata Stanczyk, Roman Kozlowski, J. Jagiełło, Kinga Kosciewicz
Publikováno v:
Current Applied Physics. 27:17-24
In this report we investigate structural and electrical properties of epitaxial Chemical Vapor Deposition quasi-free-standing graphene on an unintentionally-doped homoepitaxial layer grown on a conducting 4H–SiC substrate 4° off-axis from the basa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
High-Temperature Hall Effect Sensor Based on Epitaxial Graphene on High-Purity Semiinsulating 4H-SiC
Autor:
Dariusz Czolak, A. Dobrowolski, Michal Kozubal, Wawrzyniec Kaszub, Pawel Kaminski, Beata Stanczyk, J. Jagiełło, Tymoteusz Ciuk, Roman Kozlowski, Krystyna Przyborowska
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
In this report, we demonstrate a novel high-temperature Hall effect sensor that is based on quasi-free-standing monolayer graphene epitaxially grown on high-purity semiinsulating (SI) on-axis 4H-SiC(0001) substrate in a chemical vapor deposition proc
Autor:
T. Ciuk, Ł. Ciura, P.P. Michałowski, J. Jagiełło, A. Dobrowolski, K. Piętak, D. Kalita, M. Wzorek, R. Budzich, D. Czołak, A. Kolek
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 142:115264
In this report, we introduce a novel method based on low-frequency noise analysis for the assessment ofquality and pattern of inhomogeneity in intentionally-aged Hall effect sensors featuring hydrogen-intercalatedquasi-free-standing epitaxial Chemica