Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"J. Herricht"'
Autor:
Paulius Sakalas, M. Ramonas, Christoph Jungemann, A. Mukherjee, K. E. Moebus, J. Herricht, Michael Schroter
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 60:3403-3412
A systematic method for the integration of correlated shot-noise sources into compact models (CMs) is presented, which significantly improves the accuracy of predicted high-frequency noise in transistors. The developed method relies on a system theor
Publikováno v:
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM).
Noise parameters of SiGe HBTs fabricated in different technologies were measured in the 1–26 GHz frequency range. The standard dc, ac characteristics and noise parameters were compared to the compact model HICUM. Very good agreement was obtained fo
Publikováno v:
2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
A compact model solution, consistent with the system theory for correlated base and collector shot noise sources, is derived and implemented in the bipolar transistor model HICUM using Verilog-A. Compiled (with Tiburon) Verilog-A model is simulated u
Autor:
Michael Schroter, M. Ramonas, Paulius Sakalas, Christoph Jungemann, J. Herricht, Anjan Chakravorty, A. Shimukovitch
Publikováno v:
2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices.
A compact model solution, consistent with the system theory for correlated base and collector shot noise sources, was derived and implemented in the bipolar transistor compact model HICUM using Verilog-AMS. Simulations were performed using ADS 2005A.
Autor:
Peter J. Zampardi, J. Herricht, F. Korndorfer, A. Simukovic, Michael Schroter, Y. Zimmermann, Paulius Sakalas
Publikováno v:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005..
Analytical noise model for bipolar transistors, based on /spl pi/-hybrid equivalent circuit is verified on A/sub III/B/sub v/ HBTs. Equivalent circuit model parameters are obtained from detailed analysis of HICUM compact model. Since, new analytical
Publikováno v:
Electrical Performance of Electrical Packaging (IEEE Cat. No. 03TH8710).
Single- and two-tone power characteristics of "true" Si/SiGe HBTs were measured with fundamental frequencies up to 5 GHz. For obtaining accurate information on harmonic and, in particular, intermodulation distortion, careful de-embedding of parasitic
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.