Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"J. Hebding"'
Autor:
Y. Wu, F. Cai, L. Thomas, T. Liu, A. Nourbakhsh, J. Hebding, E. Smith, R. Quon, R. Smith, A. Kumar, A. Pang, J. Holt, R. Someshwar, F. Nardi, J. Anthis, S-H. Yen, C. Chevallier, A. Uppala, X. Chen, N. Breil, T. Sherwood, K. Wong, W. Cho, D. Thompson, J. Hsu, B. Ayyagari, S. Krishnan, Wei. D. Lu, M. Chudzik
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5f5f6ac540023956c451cc3da089c12
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019450
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019450
Publikováno v:
British Journal of Surgery. 108
Introduction Throughout the Covid-19 pandemic, the surgical community has attempted to address whether it is safe to continue surgery. The aim of this research was to review evidence on emergency general patients operated on during the pandemic compa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00fb052f53143c38a6c4d1030d5d1f3e
https://doi.org/10.1093/bjs/znab259.952
https://doi.org/10.1093/bjs/znab259.952
Autor:
Sean L. Rommel, Karl D. Hirschman, Santosh K. Kurinec, B. Curanovic, J. Hebding, Niu Jin, R.L. Saxer, Syed S. Islam, R.P. Nandgaonkar, Paul R. Berger, Phillip E. Thompson, S. Sudirgo
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1907-1910
The first demonstration of the monolithic integration of CMOS and Si/SiGe resonant interband tunnel diodes (RITD) with negative differential resistance (NDR) is reported in this paper. The Si/SiGe RITDs exhibited a peak-tovalley current ratio (PVCR)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::870a6d147f3db87844cc88bd86e7e29f
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.05.034
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.05.034
Autor:
Paul R. Berger, B. Curanovic, Phillip E. Thompson, Karl D. Hirschman, Santosh K. Kurinec, Sean L. Rommel, J. Hebding, Niu Jin, S. Sudirgo, Syed S. Islam, R.P. Nandgaonkar
Publikováno v:
International Semiconductor Device Research Symposium, 2003.
The Si/SiGe RITDs grown by MBE have been monolithically integrated with CMOS for the first time. The integrated devices resulted in a PVCR (peak-to-valley current ratio) of 2.8 at room temperature, showing promise towards the realization of RITD/CMOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::da505ca84028d2542e1a0a9663653076
https://doi.org/10.1109/isdrs.2003.1271977
https://doi.org/10.1109/isdrs.2003.1271977
Publikováno v:
Proceedings of the 15th Biennial University/Government/ Industry Microelectronics Symposium (Cat. No.03CH37488).
Semiconductor Process and Device Modeling is a senior/graduate level course on the application of simulation tools for design and verification of microelectronic processes and operation of semiconductor devices. The goal of the course is to provide a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::192bc67ba56f200992da57608bcfe406
https://doi.org/10.1109/ugim.2003.1225714
https://doi.org/10.1109/ugim.2003.1225714
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.