Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"J. Hamáček"'
Publikováno v:
Acta Polytechnica, Vol 46, Iss 6 (2006)
We report about some properties of erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers fabricated by magnetron sputtering onsilicon, quartz and Corning glass substrates. For fabricating GaN layers two types of targets were used - gallium i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72d5802f2c4e4bb1a070a63515ab2ff6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: A. 528:8557-8564
The high temperature behavior of as-cast Ti–46Al, Ti–45Al–7Nb and Ti–45Al–7Ta (in at.%) alloys at 800 °C was investigated in this work. The structure, hardness and bending strength of the as-cast alloys were characterized. During long-term
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Špirková, J. Hamáček, Jiri Oswald, Vratislav Peřina, J. Zavadil, Vaclav Prajzler, Ivan Hüttel, Z. Burian
Publikováno v:
Acta Polytechnica, Vol 46, Iss 6 (2006)
We report about some properties of erbium and erbium/ytterbium doped gallium nitride (GaN) layers fabricated by magnetron sputtering onsilicon, quartz and Corning glass substrates. For fabricating GaN layers two types of targets were used - gallium i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.