Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J. Godoy Fo"'
Autor:
José Alexandre Diniz, Jacobus W. Swart, A. G. Felicio, J. Godoy Fo, M. A. A. Pudenzi, Ioshiaki Doi
Publikováno v:
Journal of Integrated Circuits and Systems. 1:41-47
Silicon oxynitride (SiOxNy) insulators have been obtained by nitrogen ion implantation into Si substrates prior to conventional or rapid thermal oxidation. These films have been used as gate insulators in nMOSFETs and MOS capacitors. nMOSFET electric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1f896fcedb6bae17ebba4d858d1afe9
https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.263
https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.263
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 92:86-90
Titanium nitride (TiN) films have been used as gate electrodes in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors, which were fabricated with SiO"2 layer as gate dielectric, and as upper electrodes in Schottky diodes on Si substrates. The TiN layer has pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ca34e3feaed0d3afefec8891fe32b03
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.059
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.059
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Oxynitrides (SiOxNy) have been used as gate insulators for submicron devices [1]. The present work reports the oxynitride formation at SiO2/Si structure by N2+ implantation at low energies. Si substrates were implanted with N2+ ion beams (energy = 5.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6c497e0756c12b34015824dd16de1d5b
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029720983&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029720983&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.