Zobrazeno 1 - 10
of 124
pro vyhledávání: '"J. Gierak"'
Autor:
E. Bourhis, J.-M. Di Meglio, A. Durnez, Thomas Auger, Fabien Montel, J. Donnez, J. Gierak, James Yates, Loïc Auvray
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :90-94
Zero-mode waveguides (ZMWs) are optical nanostructures fabricated in a thin metallic film capable of confining the excitation volume to the zeptoliter range. In this work we describe the batch fabrication of a nanopore-based device, based upon high-r
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Autor:
J GIERAK
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :610-614
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
We report on the fabrication of fully suspended two-dimensional electron and hole gases in III-V heterostructures. Low temperature transport measurements verify that the properties of the suspended gases are only slightly degraded with respect to the
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 93:439-446
Theoretical calculations of focused ion beam implantation induced damage are compared to cross-sectional transmission electron microscopy observations of amorphous zones. The calculation takes into account a depth dependent lateral straggling of the
Autor:
G. Ben Assayag, D.G. Créte, J. Gierak, Bruno Ghyselen, Alain Schuhl, Regis Cabanel, Zoe H. Barber, Stephane Tyc, J.E. Evetts
Publikováno v:
Physica C: Superconductivity. 198:215-221
We have fabricated planar YBaCuO bridge type SNS junctions using a focused ion beam micromachining technique, where N is a classical normal metal such as gold or silver. Although in-situ fabrication is used, high contact resistivities are currently o
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Highly oriented gallium arsenide (GaAs) nanowires are grown on GaAs (100), (110) and (111) substrates by molecularbeam epitaxy using vapor-liquid-solid growth. The preferred growth direction of the nanowires is . GaAs nanowire arrays are grown using
Publikováno v:
Nanotechnology; Jul2006, Vol. 17 Issue 13, p3308-3312, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.