Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"J. Gerster"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Burkhard F. Leeb, Weiya Zhang, J. Pimentao, J Jacobs, Geraldine M. McCarthy, J Gerster, A Pignone, P.G. Conaghan, Leonardo Punzi, Eliseo Pascual, V. Barskova, George Nuki, Thomas Bardin, M. Doherty, Edward Roddy, Frédéric Lioté, Till Uhlig, Patrick Netter, Fernando Perez-Ruiz, Irena Zimmermann-Górska
Publikováno v:
Annals of the Rheumatic Diseases. 65:1312-1324
Objective: To develop evidence based recommendations for the diagnosis of gout. Methods: The multidisciplinary guideline development group comprised 19 rheumatologists and one evidence based medicine expert, representing 13 European countries. Ten ke
Publikováno v:
Cryogenics. 38:679-682
Most pulse tube refrigerators need an additional heat exchanger at the hot end of the working space in contrast to other refrigerators with regenerators. There is a periodic, alternate gas flow which passes through this hot heat exchanger. Due to thi
Autor:
B. Marheineke, M Aigle, J Porsche, J.M. Schneider, Rolf Sauer, Wolfgang Limmer, J. Gerster, H. Heinecke
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 188:225-230
Micro-Raman spectroscopy has been utilized to determine the local material composition of an In x Ga 1-x As layer and the local free-charge-carrier concentration of a Si-doped InP layer grown on patterned InP(100) substrates. The layers exhibited 8 o
Autor:
Klaus Thonke, J. Gerster, G. Mauckner, Rolf Sauer, M. Wolpert, N.A. Sobolev, U. Konig, Hartmut Presting, Wolfgang Limmer
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1057-1061
Si 6 Ge 4 and Si 9 Ge 6 superlattices (SL s ) have been implanted with 100 keV Si + and 150 keV Ar + ions, respectively, and they have been subsequently annealed. Raman and low temperature photoluminescence (PL) spectra are measured. A total breakdow
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 28:985-992
Local carrier transport properties of Si-doped GaAs layers on ridge structures exhibiting (111)A and (111)B sidewalls are investigated. The layers were grown by molecular beam epitaxy at different substrate temperatures and As/Ga flux ratios. Using s
Publikováno v:
Cryogenics. 37:699-703
In this contribution the results of our recent research on a special four-valve pulse tube cryocooler will be presented. We have performed control volume analysis in order to get information about the cooling power, the coefficient of performance and
Autor:
J. Spitzer, J. Gerster, P.C. Münzinger, H. Sternschulte, R. Sauer, Wolfgang Limmer, Klaus Thonke
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 4:1189-1192
Observation of the 1.681 eV optical center in a homoepitaxial CVD diamond film at the very narrow photoluminescence (PL) linewidth of 0.2 meV allows us to study the defect under uniaxial stress parallel to 〈100〉 and in magnetic fields along the t