Zobrazeno 1 - 10
of 299
pro vyhledávání: '"J. Gerster"'
Autor:
STIEVE H
Publikováno v:
Schweizerische medizinische Wochenschrift [Schweiz Med Wochenschr] 1947 Jul 19; Vol. 77 (29), pp. 782.
Autor:
H, STIEVE
Publikováno v:
Schweizerische medizinische Wochenschrift. 77(29)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Burkhard F. Leeb, Weiya Zhang, J. Pimentao, J Jacobs, Geraldine M. McCarthy, J Gerster, A Pignone, P.G. Conaghan, Leonardo Punzi, Eliseo Pascual, V. Barskova, George Nuki, Thomas Bardin, M. Doherty, Edward Roddy, Frédéric Lioté, Till Uhlig, Patrick Netter, Fernando Perez-Ruiz, Irena Zimmermann-Górska
Publikováno v:
Annals of the Rheumatic Diseases. 65:1312-1324
Objective: To develop evidence based recommendations for the diagnosis of gout. Methods: The multidisciplinary guideline development group comprised 19 rheumatologists and one evidence based medicine expert, representing 13 European countries. Ten ke
Publikováno v:
Cryogenics. 38:679-682
Most pulse tube refrigerators need an additional heat exchanger at the hot end of the working space in contrast to other refrigerators with regenerators. There is a periodic, alternate gas flow which passes through this hot heat exchanger. Due to thi
Autor:
B. Marheineke, M Aigle, J Porsche, J.M. Schneider, Rolf Sauer, Wolfgang Limmer, J. Gerster, H. Heinecke
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 188:225-230
Micro-Raman spectroscopy has been utilized to determine the local material composition of an In x Ga 1-x As layer and the local free-charge-carrier concentration of a Si-doped InP layer grown on patterned InP(100) substrates. The layers exhibited 8 o
Autor:
Klaus Thonke, J. Gerster, G. Mauckner, Rolf Sauer, M. Wolpert, N.A. Sobolev, U. Konig, Hartmut Presting, Wolfgang Limmer
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1057-1061
Si 6 Ge 4 and Si 9 Ge 6 superlattices (SL s ) have been implanted with 100 keV Si + and 150 keV Ar + ions, respectively, and they have been subsequently annealed. Raman and low temperature photoluminescence (PL) spectra are measured. A total breakdow