Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"J. Foppes"'
Autor:
Ed Kaminsky, J. L. Garrett, B.J. Edward, Richard Alfred Beaupre, J. Cook, Larry B. Rowland, A.F. Allen, J. Foppes, Ho-Young Cha, Jesse B. Tucker, James W. Kretchmer, A. Vertiatchikh, Goutam Koley, A. P. Zhang
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 32:437-443
The performances of silicon carbide (SiC) metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) fabricated on conventional V-doped semi-insulating substrates and new V-free semi-insulating substrates have been compared. The V-free 4H-SiC substrates
Autor:
B.J. Edward, A.F. Allen, Richard Alfred Beaupre, J. L. Garrett, Jesse B. Tucker, A.P. Zhang, James W. Kretchmer, Larry B. Rowland, E.B. Kaminsky, J. Foppes
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 47:821-826
We have fabricated SiC metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) with more than 60 W of output power at 450 MHz from single 21.6 mm gate periphery devices (2.9 W/mm) and 27 W of output power at 3 GHz from single 14.4 mm SiC MESFET device
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.