Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J. Felsner"'
Autor:
Alexander Gschwandtner, R. Kakoschke, J. Felsner, Gudrun Innertsberger, B. Yuwono, R. Jurk, W. Krautschneider, T. Schlösser
Publikováno v:
MRS Proceedings. 567
The influence of Vapor Phase Precleans leads to a different controllable fluorine content within the subsequently grown dielectric. The influence of the clean is discussed for non-volatile memory devices, advanced MOS transistors and ultra thin gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::622c1719529a9fa91fdf24d3089cc983
https://doi.org/10.1557/proc-567-589
https://doi.org/10.1557/proc-567-589
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.