Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"J. E. Klemberg-Sapieha"'
Publikováno v:
International Journal of Corrosion, Vol 2014 (2014)
Amorphous hydrogenated silicon carbide (a-SiCx:H) coatings were deposited on stainless steel 301 (SS301) using plasma enhanced chemical vapor deposition with the methane gas flow ranging from 30 to 90 sccm. XRD spectra confirmed the amorphous structu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36dfe2b031e04aaf81ed935aebd717d9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. E. Klemberg-Sapieha
Publikováno v:
Plasma Processing of Polymers ISBN: 9789048149537
Plasma Processing of Polymers
Plasma Processing of Polymers
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::798fd88d2d9251a7ea584e21b27338df
https://doi.org/10.1007/978-94-015-8961-1_11
https://doi.org/10.1007/978-94-015-8961-1_11
Publikováno v:
Medical progress through technology. 21(4)
NiTi alloy specimens were plasma cleaned and then coated with a thin film of plasma-polymerized tetrafluoroethylene (TFE) in a Radio-Frequency reactor. The corrosion protection provided by these films was studied by potentiodynamic tests performed in
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Canadian Journal of Physics. 65:859-863
Plasma silicon nitride (P-SiN) films were prepared from SiH4–NH3 mixtures and from ternary mixtures with Ar or N2 in a large-volume microwave plasma apparatus, at substrate temperatures Ts ranging from ambient to 250 °C. Under otherwise nominally