Fracture dynamics in implanted silicon

Autor: Didier Landru, J. Ragani, Samuel Tardif, Florence Madeira, D. Massy, Oleg Kononchuk, J. D. Penot, Frédéric Mazen, François Rieutord

Publikováno v: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2015, 107 (9), pp.092102. ⟨10.1063/1.4930016⟩
Applied Physics Letters, 2015, 107 (9), pp.092102. ⟨10.1063/1.4930016⟩

International audience; Crack propagation in implanted silicon for thin layer transfer is experimentally studied. The crack propagation velocity as a function of split temperature is measured using a designed optical setup. Interferometric measuremen

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e610811b8b12069eab7c88c1b3169098
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01615909

Mechanism of Thermal Silicon Oxide Direct Wafer Bonding

Autor: François Rieutord, D. Lafond, A. M. Papon, J. D. Penot, C. Ventosa, F. Fournel, L. Libralesso, Hubert Moriceau, C. Morales

Publikováno v: Electrochemical and Solid-State Letters. 12:H373

Thermal silicon oxide-to-oxide bonding was investigated at the nanometer level using X-ray reflectivity, transmission electron microscopy, and infrared absorption spectroscopy. The measurements reveal the stages of the closure mechanism, which are di

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ede27646697239d16ad6508853926812
https://doi.org/10.1149/1.3193533

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.