Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"J. D. Ganière"'
Publikováno v:
Università degli di Trento-IRIS
To study the effect of damage induced during the Zn diffusion on the properties of the material, p-n junctions, obtained by zinc diffusion, are investigated by electron beam induced current (EBIC) at different temperatures. At helium temperature, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6ff1ef19eba54499c57c1e7cd2e964df
https://doi.org/10.1002/pssa.2211290226
https://doi.org/10.1002/pssa.2211290226
Autor:
M. Sacilotti, Lisandro Pavie Cardoso, Jean Decobert, M. J. S. P. Brasil, P. Ossart, Luciano Horiuchi, J. D. Ganière
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 71:179-186
GaAlAs/GaAs and GaInAs/InP thick layers, single and multiple quantum wells were grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Auger electron spectroscopy, wedge transmission electron microscopy, x‐ray diffraction, low‐temperatur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::074486e3babaf34ff45caa0fee1367b0
https://doi.org/10.1063/1.350734
https://doi.org/10.1063/1.350734
Autor:
E. V. K. Rao, J.-D. Ganière, Bernard Sermage, A. Mircea, C. Kazmierski, Y. Gao, A. Ougazzaden
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 107:761-766
Partially optimized separate confinement heterostructure multi-quantum well InP/InGaAsP/InGaAs laser structures, emitting at 1560 nm, grown by atmospheric pressure metalorganic vapour phase epitaxy, have threshold current densities as low as 503 A/cm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74d46fc8c2373c4ccf413e7f41f6a739
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90554-i
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90554-i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L. Liaci, Nico Lovergine, Lorenzo Vasanelli, A. V. Drigo, J.‐D. Ganière, Filippo Romanato, Gabriella Leo, Anna Maria Mancini
The structural characterization of ZnTe epilayers grown on (100)GaAs by metalorganic vapor-phase epitaxy is reported. A detailed study of the ZnTe/GaAs heterostructure based on both high-resolution and conventional electron microscopy and ion channel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a58abaf76e1269b7ed10c7c7b19d690b
http://hdl.handle.net/11577/154262
http://hdl.handle.net/11577/154262
Autor:
N. Lovergine, Lorenzo Vasanelli, F. Romanto, F. Liaci, A. V. Drigo, J.‐D. Ganière, Gabriella Leo, Anna Maria Mancini
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 79:562-562
Note: Infm lecce,unita gnsm,i-73100 lecce,italy. ecole polytech fed lausanne,inst micro & optoelectr,ch-1015 lausanne,switzerland. cnr,ime,inst mat elettron,i-73100 lecce,italy. univ padua,dipartimento fis g galilei,i-35100 padua,italy. infm padova,u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb1694ac4769f9e7b71cc0a1fc450bc2
https://doi.org/10.1063/1.362719
https://doi.org/10.1063/1.362719
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.