Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"J. Croon"'
Publikováno v:
The Astrophysical Journal Supplement Series, Vol 271, Iss 2, p 63 (2024)
In this paper, we introduce and discuss an exactly energy-conserving particle-in-cell method for arbitrary curvilinear coordinates. The flexibility provided by curvilinear coordinates enables the study of plasmas in complex-shaped domains by aligning
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/573948a9ac4c490b98956291c2d2ae85
Autor:
Richard L.M. Faull, Yin Wai Liu, Monica Kam, Bronwen Connor, Maurice A. Curtis, Andrew S. Tattersfield, Mike Dragunow, Ryan J. Croon, Ellen B. Penney
Publikováno v:
Advances in Behavioral Biology ISBN: 0387280650
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43e59ec497f3e0a3b508bf6cdc3109db
https://doi.org/10.1007/0-387-28066-9_41
https://doi.org/10.1007/0-387-28066-9_41
Publikováno v:
2005 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2005. ICICDT 2005..
In this paper, a modeling methodology to maximize the yield of a SRAM memory array is presented. The method is robust to process variations. Calibrated models for the distributions of performance parameters are used to predict the sensitivity of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::170c3d962b0f7d08f50c74fb69501df1
https://doi.org/10.1109/icicdt.2005.1502584
https://doi.org/10.1109/icicdt.2005.1502584
Autor:
Stefan Kubicek, G. Raskin, B. De Jaeger, M.M. Heyns, Ben Kaczer, Thomas Chiarella, Thierry Conard, Ivo Teerlinck, Sun-Ghil Lee, Matty Caymax, Alessandra Satta, Valery V. Afanas'ev, K. De Meyer, J. Van Steenbergen, J. Poortmans, P. Mijlemans, Serge Biesemans, Wilfried Vandervorst, Paul W. Mertens, Marc Schaekers, Robin Degraeve, Lars-Ake Ragnarsson, Eddy Kunnen, JL Autran, Tom Schram, Erik Sleeckx, S. Van Elshocht, Annelies Delabie, M. Meuris, Michel Houssa, Richard Lindsay, G. Kota, Werner Boullart, J. Croon, E. Van Moorhem, Gillis Winderickx, Andre Stesmans, Peter Verheyen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
34th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2004), SEP 21-23, 2004, Leuven, BELGIUM
ESSDERC 2004: PROCEEDINGS OF THE 34TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE
34th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2004), SEP 21-23, 2004, Leuven, BELGIUM
ESSDERC 2004: PROCEEDINGS OF THE 34TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE
We report for the first time on deep sub-micron Ge pFETs with physical gate lengths down to 0.151 /spl mu/m. The devices are made using a silicon-like process flow, with a directly etched gate stack consisting of TaN gate on an ALD or MOCVD HfO/sub 2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f95367a37842fb87890d460112e6d35d
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356521
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356521
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.