Zobrazeno 1 - 10
of 864
pro vyhledávání: '"J. Chrétien"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Chrétien, Q. M. Thai, M. Frauenrath, L. Casiez, A. Chelnokov, V. Reboud, J. M. Hartmann, M. El Kurdi, N. Pauc, V. Calvo
Publikováno v:
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 2022, 120 (5), pp.051107. ⟨10.1063/5.0074478⟩
Applied Physics Letters, 2022, 120 (5), pp.051107. ⟨10.1063/5.0074478⟩
International audience; GeSn alloys are promising materials for light emitters monolithically grown on silicon. In this work, we demonstrate room temperature (RT) lasing in a GeSn hetero-structure with 17.2% of Sn. We report a threshold of 3:27MWcm2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d95522775e7a2348e016e4d53f84364c
https://hal.science/hal-04023342
https://hal.science/hal-04023342
Publikováno v:
VI International Online Conference on Metamaterials and Nanophotonics
VI International Online Conference on Metamaterials and Nanophotonics, Sep 2021, Tbilisi, Georgia
VI International Online Conference on Metamaterials and Nanophotonics, Sep 2021, Tbilisi, Georgia
We present in this work a non-destructive and non-invasive imaging spectroscopic technique with a high spatial and spectral resolution to characterize the light propagation behaviour along a centimetric length and nanometric size tapered optical fibe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b844a0447719a6d6b7ea96022a480ea8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03451598
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03451598
Autor:
L. Casiez, N. Bernier, J. Chrétien, J. Richy, D. Rouchon, M. Bertrand, F. Mazen, M. Frauenrath, A. Chelnokov, J. M. Hartmann, V. Calvo, N. Pauc, V. Reboud, P. Acosta Alba
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 131:153103
We investigate the recrystallization of thick phosphorus-implanted GeSn layers using 308 nm Ultraviolet Nanosecond Laser Annealing (UV-NLA). We identify the optimal annealing conditions leading to the reconstruction of Ge0.92Sn0.08 crystal amorphized
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c293e7eeb6a3932a6ea344d959a79fa0
https://doi.org/10.1063/5.0085107
https://doi.org/10.1063/5.0085107
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.