Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"J. C. Esnault"'
Autor:
N. Sahri, Jean-Christophe Harmand, H. Le Person, J. C. Esnault, Christophe Minot, J. F. Palmier, J.P. Medus
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 23:1323-1332
We report microwave and temporal measurements on nonlinear transport in GaInAs/AlInAs superlattice n + n − n + diodes. The superlattices have wide minibands, wider than 80 meV. The microwav experiments are performed for 0–65 GHz. The diodes exhib
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be3d1a89bf0baa66e196c1ae6e0e11df
https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0247
https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0247
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 56:256-258
Negative differential conductance (NDC) at 300 K in n+‐nn+‐GaAs/AlAs superlattice structures biased perpendicularly to the layers is demonstrated, and shown to be strongly enhanced at microwave frequencies close to the inverse transit time of ele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c47b4ea2378f6f9a486782a4bd36f681
https://doi.org/10.1063/1.102821
https://doi.org/10.1063/1.102821
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Negative differential velocity in nonintentionally doped GaAs/A1As superlattices has been evidenced by an optoelectronic picosecond time-of-flight experiment in the temperature range from 10 K up to 300 K. In the same structures bursts of high freque
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ad9ac57ba5ac1c1f69ab1ab4f6a5925
https://doi.org/10.1117/12.175261
https://doi.org/10.1117/12.175261
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 32:1461-1465
We investigate the doping level, hydrostatic pressure, temperature and superlattice parameter dependence of the perpendicular negative differential velocity (NDV) of GaAs/AlAs superlattices. The results show that NDV is a single Γ miniband effect. A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc36fd5cdaefa6dd379622cd6c054316
https://doi.org/10.1016/0038-1101(89)90257-8
https://doi.org/10.1016/0038-1101(89)90257-8
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 66:442-444
Conventional heterojunction bipolar transistors exhibit large δVCE offset voltages in common emitter characteristics: We experimentally show that the replacement of the large gap emitter by a thin modulation‐doped GaAlAs barrier in an otherwise al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f11d240847c460efc4c6955d3f85495
https://doi.org/10.1063/1.343844
https://doi.org/10.1063/1.343844
Publikováno v:
Physical review. B, Condensed matter. 39(9)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a995d01eff60f31baba9f67c7ad570c3
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9949066
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9949066
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.