Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Transient current technique for charged traps detection in silicon bonded interfaces

Autor: J. Bronuzzi, D. Bouvet, C. Charrier, F. Fournel, M. F. García, A. Mapelli, M. Moll, E. Rouchouze, J. M. Sallese

Publikováno v: AIP Advances, Vol 9, Iss 2, Pp 025307-025307-9 (2019)

Wafer bonding is an established technology for the manufacturing of silicon-on-insulator (SOI) substrates, micro-electromechanical systems (MEMS) and microfluidic devices. Low temperature direct bonding techniques can be of particular interest for th

Externí odkaz: https://doaj.org/article/c83b57028a7d430085a16c3c883a9d26

Zobrazit plný text záznamu

Principle of the electrically induced Transient Current Technique

Autor: Jean-Michel Sallese, Michael Moll, A. Mapelli, J. Bronuzzi, Didier Bouvet

In the field of detector development for High Energy Physics, the so-called Transient Current Technique (TCT) is used to characterize the electric field profile and the charge trapping inside silicon radiation detectors where particles or photons cre

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::beababb7a0530ff7e233b76e8b8514c1
http://cds.cern.ch/record/2634102

Zobrazit plný text záznamu

Transient current technique for charged traps detection in silicon bonded interfaces

Autor: C. Charrier, A. Mapelli, Jean-Michel Sallese, Michael Moll, Marcos Fernández García, E. Rouchouze, J. Bronuzzi, F. Fournel, Didier Bouvet

Publikováno v: AIP Advances, Vol 9, Iss 2, Pp 025307-025307-9 (2019)
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
AIP Advances
AIP Advances, 2019, 9 (2), pp.025307. ⟨10.1063/1.5079999⟩

International audience; Wafer bonding is an established technology for the manufacturing of silicon-on-insulator (SOI) substrates, microelectromechanical systems (MEMS) and microfluidic devices. Low temperature direct bonding techniques can be of par

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::65baef2cc84071d473377acbc0af22a1
https://doaj.org/article/c83b57028a7d430085a16c3c883a9d26

Zobrazit plný text záznamu

Analytical model for Transient Current Technique (TCT) signal prediction and analysis for thin interface characterization

Autor: J. Bronuzzi, Jean-Michel Sallese, A. Mapelli

Publikováno v: Journal of Instrumentation. 11:C12080-C12080

A silicon wafer bonding technique has been recently proposed for the fabrication of monolithic silicon radiation detectors. This new process would enable direct bonding of a read-out electronic chip wafer on a highly resistive silicon substrate wafer

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f857505ad1b2cb63b44548189af26dab
https://doi.org/10.1088/1748-0221/11/12/c12080

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Principle and modelling of Transient Current Technique for interface traps characterization in monolithic pixel detectors obtained by CMOS-compatible wafer bonding

Autor: A. Mapelli, Michael Moll, Jean-Michel Sallese, J. Bronuzzi

In the framework of monolithic silicon radiation detectors, a fabrication process based on a recently developed silicon wafer bonding technique at low temperature was proposed. Ideally, this new process would enable direct bonding of a read-out elect

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b58d241bd9a6bd94c69f0a57338cfd8d
https://infoscience.epfl.ch/record/225234

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání