Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"J. Bource"'
Autor:
Carina Zaring, Marcelo Schupbach, Martin Domeij, J. Bource, Mikael Östling, Muhammad Nawaz, H.S. Lee
Publikováno v:
Materials Science Forum. :825-828
This paper addresses the performance of SiC NPN Bipolar Junction Transistors (BJTs) at high and low temperature. A current gain of 50 at room temperature was obtained which decreases to 25 at 275 oC. A maximum current gain (β) of 111 has been report
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cdbc21ceae74098358b0bd7635a3a717
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.825
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.825
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.