Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"J. Borngraeber"'
Autor:
Srdjan Glisic, Maruf Hossain, Chafik Meliani, O. Krueger, Wolfgang Heinrich, T. Kraemer, Ina Ostermay, Bernd Tillack, Mohamed Elkhouly, Viktor Krozer, B. Janke, J. Borngraeber, Y. Borokhovych, Thomas Jensen, Marco Lisker
Publikováno v:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 24:469-471
A 246 GHz source in InP-on-BiCMOS technology is presented. It consists of a voltage controlled oscillator (VCO) in BiCMOS technology and a frequency tripler in transferred-substrate InP-HBT technology, which is integrated on top of the BiCMOS MMIC in
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 43:1897-1908
A single-ended 77/79 GHz monolithic microwave integrated circuit (MMIC) receiver has been developed in SiGe HBT technology for frequency-modulated continuous-wave (FMCW) automotive radars. The single-ended receiver chip consists of the first reported
Autor:
Klaus Schmalz, Alexander Koelpin, Benjamin Laemmle, Robert Weigel, Dietmar Kissinger, J. Borngraeber, J. C. Scheytt
Publikováno v:
2013 IEEE 13th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems.
A fully integrated six-port receiver front-end at 120 GHz center frequency including a low-noise-amplifier, a passive six-port network, a VCO, and four direct converters is presented in this publication. The overall architecture of the designed six-p
Publikováno v:
2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
For the first time a single-ended 79 GHz receiver in SiGe technology is reported in this paper for automotive radar application. The receiver consists of a single-ended cascode LNA, a single-ended RF double-balanced down-conversion micromixer, and a
Publikováno v:
2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
This paper proposes a method to improve the non-linearity of the differential RF signals, the noise figure and conversion gain in the existing micromixer through inserting a transistor that is connected in diode form in the mirrored RF branch. These
Publikováno v:
Digest of Papers. 2005 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2005..
This paper reports a 71 GHz static and a 103 GHz regenerative dynamic frequency divider fabricated in 0.25 /spl mu/m SiGe:C HBT technology with f/sub T//f/sub max/200 GHz. The static divider including the buffer works with a 3.5 V single supply volta
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.