Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J. Bonaime"'
Autor:
R. Truche, J.L. Martin, J. Gautier, E. Delevoye, J. Montaron, E. Dupont-Nivet, J.P. Blanc, J. Bonaime, J. de Pontcharra
Publikováno v:
1990 IEEE SOS/SOI Technology Conference. Proceedings.
Development of a fully CMOS and bipolar compatible JFET process on SIMOX is reported. The main characteristics obtained on a two-junction-type JFET realized in 1- mu m silicon epitaxy on SOI material are presented. A mesa-structure has been chosen fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51ef82f1d8f446b0451bad668b015057
https://doi.org/10.1109/sossoi.1990.145721
https://doi.org/10.1109/sossoi.1990.145721
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.