Zobrazeno 1 - 10
of 310
pro vyhledávání: '"J. Bogdanowicz"'
Autor:
T. Nuytten, J. Bogdanowicz, L. Witters, G. Eneman, T. Hantschel, A. Schulze, P. Favia, H. Bender, I. De Wolf, W. Vandervorst
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 5, Pp 058501-058501-6 (2018)
The continued importance of strain engineering in semiconductor technology demands fast and reliable stress metrology that is non-destructive and process line-compatible. Raman spectroscopy meets these requirements but the diffraction limit prevents
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3e32e14132ee4fffbb250fe3586355c3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Shohjoh, M. Ikota, M. Isawa, G. F. Lorusso, N. Horiguchi, B. Briggs, H. Mertens, J. Bogdanowicz, P. De Bisschop, A.-L. Charley
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bbbbbb360bf553276c02fdc5ba3cbd79
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720711
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720711
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Capogreco, J. Bogdanowicz, W. Vandervorst, David Kohen, Roger Loo, Marc Schaekers, L. Witters, Steven Folkersma, Anurag Vohra, Robert Langer, Clement Porret, A. Hikavyy, J. Tolle
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51277d5975f577114f2ed3eb87456d20
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-3-05
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-3-05
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Claudia Fleischmann, J. Bogdanowicz, Wilfried Vandervorst, Anabela Veloso, Alexis Franquet, Richard J. H. Morris, Davit Melkonyan
Publikováno v:
Ultramicroscopy. 186
We introduce an innovative specimen preparation method employing the selectivity of a wet-chemical etching step to improve data quality and success rates in the atom probe analysis of contemporary semiconductor devices. Firstly, on the example of an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2353e318f108e5623eac016e71fb319c
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29241145
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29241145