Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"J. Becerro"'
Autor:
Dale Conrad Jacobson, J. A. Johnson, Fred A. Stevie, T. Boone, J. Becerro, D. J. Eaglesham, B. Jackson, J. L. Benton
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 146:1929-1933
Mo is introduced into Si integrated circuits inadvertently during processing, often during Si epitaxial growth, high temperature furnace treatments, or BF 2 ion implantation. Quantitative secondary ion mass spectrometry measurement of Mo concentratio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9fd9a552a6dfc85379cc90ae45ef10f
https://doi.org/10.1149/1.1391868
https://doi.org/10.1149/1.1391868
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 18:105-107
We have implanted nitrogen (N/sup +/) into Si substrates before growing thin thermal oxides, and discovered that light N/sup +/ doses of 5/spl times/10/sup 13/-5/spl times/10/sup 14//cm/sup 2/ reduced the oxidation rates by 20-30%. High-resolution TE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44240318bf75399d63220238eac0dd07
https://doi.org/10.1109/55.556095
https://doi.org/10.1109/55.556095
Autor:
A. Chen, J. Becerro, Y. Ma, Y.F. Chyan, W. J. Nagy, S. Chaudhry, K.H. Lee, M.S. Carroll, J.L. Lee
Publikováno v:
Proceedings of Technical Papers. International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd9dba74d51a03354baf18716ac6574d
https://doi.org/10.1109/vtsa.1997.614923
https://doi.org/10.1109/vtsa.1997.614923
Autor:
M.J. Thoma, H.-H. Vuong, A. Kamgar, H. S. Luftman, Hem M. Vaidya, Steven James Hillenius, E.J. Lloyd, Conor S. Rafferty, H.-J. Gossmann, Steven Alan Lytle, J. Becerro, D. C. Jacobson
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest.
The increasing use of high energy implantation (HEI) in tub formation, combined with the use of low temperature gate processing, leads to the potential for strong Transient Enhanced Diffusion (TED) effects in the channel profile. We have discovered t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96a54351f2c6d9266f87152d34d2b24b
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.554098
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.554098
Autor:
L. Rodriguez, J. Bonal, O. Maire-Richard, R. Oliva, J.C. Villacieros, S.G.B. Gonzalez, M. Rosendo, J. Becerro, M. Fernandez, S. Aparicio
Publikováno v:
2001 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (IEEE Cat. No.01CH37160).
Cycle time is a competitive weapon for semiconductor companies. It affects costs and customer service. This paper describes the method used in the fab of Agere in Madrid. The method is based on the use of exponentially weighted moving averages for cy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59afc036af7f46f59e282d5ef59da66d
https://doi.org/10.1109/asmc.2001.925606
https://doi.org/10.1109/asmc.2001.925606
Autor:
Y.F. Chyan, S. Chaudhry, Y. Ma, A.S. Chen, M.S. Carroll, W.J. Nagy, J. Becerro, J.L. Lee, M.P. Iannuzzi, K.H. Lee
Publikováno v:
1997 Symposium on VLSI Technology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0bb97104af3d56e1fdf7b4775e895f05
https://doi.org/10.1109/vlsit.1997.623682
https://doi.org/10.1109/vlsit.1997.623682
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.