Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"J. Arbet"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nichole E. Carlson, Lisa A. Maier, C.I. Restrepo, J. Arbet, S.-Y. Liao, L. Li, M. Mroz, Briana Barkes, T.E. Fingerlin, N. Lin
Publikováno v:
TP65. TP065 ENVIRONMENTAL EXPOSURES AND LUNG DISEASE.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56d0d324afa6a05ded80e1c92847982c
https://doi.org/10.1164/ajrccm-conference.2021.203.1_meetingabstracts.a3140
https://doi.org/10.1164/ajrccm-conference.2021.203.1_meetingabstracts.a3140
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vlasta Sasinková, Miroslav Mikolášek, Jozef Huran, Milan Perný, Angela Kleinová, J Arbet, Alexander P. Kobzev, Vladimir Saly
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 184:23-31
Boron-doped SiC thin films were deposited on N-type Si(100) substrates at various deposition conditions by means of HWCVD technology using silane (SiH4), methane (CH4), hydrogen(H2), dibora...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fea7b20162b5948ea9603411201d6e1f
https://doi.org/10.1080/10584587.2017.1368636
https://doi.org/10.1080/10584587.2017.1368636
Autor:
Jozef Huran, Vladimir A. Skuratov, Alexander P. Kobzev, Miroslav Mikolášek, J Arbet, Vladimir Saly, Pavol Boháček, Milan Perný
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1319:012016
Phosphorus doped silicon carbide film as emitter in heterojunction structure was deposited on p-type Si(100) wafers at various deposition conditions by means of PECVD technology using silane (SiH4), methane (CH4), hydrogen (H2) and phosphine (PH3, 2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d71e3ff629791bc95c0867736239f35
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1319/1/012016
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1319/1/012016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vlasta Sasinková, Pavol Boháček, Angela Kleinová, Valery Shvetsov, J Arbet, A. Valovič, Sergey B. Borzakov, Jozef Huran, Alexander P. Kobzev, Mária Sekáčová
Publikováno v:
Applied Surface Science. 269:88-91
Amorphous silicon carbide (a-SiC) is an excellent alternative passivation layer material for silicon solar cells especially working in hard and space environment. Silicon carbide (SiC) and nitrogen-doped silicon carbide (SiC(N)) layers were deposited
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2a97e5fdc839bc9004ea987048e7bd1
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.10.162
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.10.162
Autor:
J Arbet, A. Sagatova, Pavol Boháček, Vladimir A. Skuratov, L Hrubcin, K. Sedlackova, F. Dubecky, Mária Sekáčová, Bohumír Zat’ko, Vladimír Nečas
Publikováno v:
2016 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM).
We fabricated and characterized 4H-SiC Schottky diodes as a spectrometric detector of a-particles. A Schottky contact of Ni/Au of 1.4 mm in diameter was used. Current-voltage characteristics of the detector were measured and a current density lower t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20f1d156828c132a0f9738f34bd07891
https://doi.org/10.1109/asdam.2016.7805915
https://doi.org/10.1109/asdam.2016.7805915