Zobrazeno 1 - 10
of 228
pro vyhledávání: '"J. Antoszewski"'
Autor:
W. W. Pan, R. J. Gu, Z. K. Zhang, W. Lei, G. A. Umana-Membreno, D. J. Smith, J. Antoszewski, L. Faraone
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 51:4869-4883
Demand for high-performance HgCdTe infrared detectors with larger array size and lower cost has fuelled the heteroepitaxial growth of HgCdTe on CdTe buffer layers on lattice-mismatched alternative substrates such as Si, Ge, GaAs and GaSb. However, th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 16, Iss 11, p 113033 (2014)
Modern devices consisting of multiple semiconductor layers often result in the population of numerous distinct carrier species. Conventional Hall measurements at a single-magnetic-field strength provide only a weighted average of the electron mobilit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b8e2f84bcd543d2af881e53c71e06fb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2014 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices.
Autor:
L. Faraone, J. Antoszewski, K. K. M. B. D. Silva, John Bumgarner, Haifeng Mao, Mariusz Martyniuk
Publikováno v:
Proceedings of the 2014 International Conference on Quantitative InfraRed Thermography.
Many thermal imaging applications stand to gain from the inclusion of multispectral capabilities in the long wave infrared (LWIR). While infrared spectral imaging systems presently exist, the addition of multispectral capabilities will provide a numb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 79:8482-8487
Si δ‐doped GaAs grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) is characterized using magnetotransport measurements in tilted magnetic fields. Angular dependence of the longitudinal magnetoresistance (Rxx) vs the magnetic field (B) traces in t