Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"J. -C. Jacquet"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:5484-5489
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eee369b1be250905723568d0e6b9714b
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3200630
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3200630
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhan Gao, Fabiana Rampazzo, Matteo Meneghini, Nicola Modolo, Carlo De Santi, Hervé Blanck, Hermann Stieglauer, Daniel Sommer, Jan Grünenpütt, Olof Kordina, Jr-Tai Chen, J-C Jacquet, C. Lacam, S. Piotrowicz, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
On-wafer robustness and short-term reliability of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs, fabricated on AlGaN buffer with and without a thin AlGaN “spike” layer between channel and buffer layers, have been compared. Results of DC characterization showed that d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c8135db5f7f6fa634eb1a017542fcb47
http://hdl.handle.net/11577/3415139
http://hdl.handle.net/11577/3415139
Publikováno v:
2020 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems (ASDAM).
This work deals with the average temperature model of two AlGaN/GaN HEMTs exhibiting similar thermal but different electrical properties. Output I-V characteristics dependent on isothermal and thermal device properties allow comparison of output cond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c0e770098042bb1d04bb4ce31230b50
https://doi.org/10.1109/asdam50306.2020.9393862
https://doi.org/10.1109/asdam50306.2020.9393862
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology
We propose a novel model approach for temperature evaluation in the channel region of a InAlN/AlN/gallium nitride high electron mobility transistor (HEMT) due to self-heating effects. The heat transfer in a HEMT device has been investigated experimen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8025f67f0e546ac3f4baf1e676a4cc6a
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd15a
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd15a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Riedmuller, J. -C. Jacquet, M. Madel, C. Chang, G. Callet, S. Piotrowicz, S. Delage, J. Gruenenpuett, H. Blanck, F. Scholz
Publikováno v:
2018 48th European Microwave Conference (EuMC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55e5dbbeca339b37da04b247c9030a75
https://doi.org/10.23919/eumc.2018.8541551
https://doi.org/10.23919/eumc.2018.8541551
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 35:025006
An improved method of average channel temperature and channel temperature profile determination is introduced in this paper applied to AlGaN/GaN HEMT using quasi-static I-V characterization and external heater. Particular HEMT resistances and thresho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2c1fce32001d62759aca946bf361d4f
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab5d85
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab5d85
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 34:065021
This paper proposes a novel method of average channel temperature and channel temperature profile determination is discussed in theoretical part and subsequently applied to InAlN/AlN/GaN HEMT using quasi-static I–V characterization supported by the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::992cd938bffe9c9cd3c7b73a7c8a7afc
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab1737
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab1737
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.