Výsledky vyhledávání - "J.‐Y. Veuillen"

Alloying two-dimensional VSe 2 with Pt: from a charge density wave state to a disordered insulator

Autor: E. Vélez-Fort, P. Mallet, H. Boukari, A. Marty, C. Vergnaud, F. Bonell, M. Jamet, J-Y. Veuillen

Publikováno v: Physical Review B
Physical Review B, 2022, 106 (7), pp.075432. ⟨10.1103/PhysRevB.106.075432⟩

International audience; We have analyzed by means of scanning tunneling microscopy and spectroscopy the atomic and electronic structure of monolayers of 1T-VxPt1-xSe2 alloys grown by molecular beam epitaxy on epitaxial graphene substrates. We have fo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e5db51bf5dfd072d66eed1b3ebcc7e6b
https://hal.science/hal-03719563/document

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Single 3d transition metal atoms on multi-layer graphene systems: electronic configurations, bonding mechanisms and role of the substrate

Autor: V Sessi, S Stepanow, A N Rudenko, S Krotzky, K Kern, F Hiebel, P Mallet, J-Y Veuillen, O Šipr, J Honolka, N B Brookes

Publikováno v: New Journal of Physics, Vol 16, Iss 6, p 062001 (2014)

The electronic configurations of Fe, Co, Ni and Cu adatoms on graphene and graphite have been studied by x-ray magnetic circular dichroism and charge transfer multiplet theory. A delicate interplay between long-range interactions and local chemical b

Externí odkaz: https://doaj.org/article/a67e2e593c5241e98543e770db3ffaaf

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Spontaneous evolution of the Ni/Cu( 111 ) interface at 300 K

Autor: S Pons, Pierre Mallet, Laurence Magaud, J. Y. Veuillen

Publikováno v: Surface Science
Surface Science, Elsevier, 2002, 511 (1-3), pp.449-458. ⟨10.1016/S0039-6028(02)01541-8⟩

The spontaneous evolution of the structures obtained by submonolayer deposition of Ni on Cu(1 1 1) at room temperature has been studied by scanning tunnelling microscopy. The growth of an additional Cu plane on top of Ni-rich monolayer (ML) islands,

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2124c48ee9df32f3e856fdb368acbd63
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(02)01541-8

Zobrazit plný text záznamu

Co-deposition of In and Sn on the Si(100) 2×1 surface: growth of a one-dimensional alloy?

Autor: L. Jure, J. Y. Veuillen, Laurence Magaud, Pierre Mallet

Publikováno v: Applied Surface Science. :638-643

We present a scanning tunneling microscopy (STM) study of the co-deposition of In and Sn in the submonolayer range (typical coverage: 0.1 ML) on the Si(100) 2×1 surface. The pure elements Sn and In are known to form one-dimensional (1D) lines of dim

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa8576d1f449d8585f360e035e282163
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(00)00263-4

Zobrazit plný text záznamu

How the SiC substrate impacts graphene's atomic and electronic structure

Autor: Laurence Magaud, J. Y. Veuillen, F. Varchon, Fanny Hiebel, Pierre Mallet

Publikováno v: physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 3:172-174

Graphene, the two-dimensional form of carbon presents outstanding electronic and transport properties. This gives hope for the development of applications in nanoelectronics. However, for industrial purpose, graphene has to be supported by a substrat

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::15c995b9ffe0c8483df0fee5c81deddb
https://doi.org/10.1002/pssr.200903145

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

X-ray absorption spectroscopy study of atomic structure of epitaxialErSi1.7(0001)on Si(111)

Autor: Anne-Marie Flank, J. Y. Veuillen, T. A. Nguyen Tan, Roberto Gunnella

Publikováno v: Physical Review B. 57:4154-4159

The x-ray absorption near-edge spectra of the $\mathrm{Si}K$ edge were measured on ${\mathrm{ErSi}}_{1.7}(0001),$ epitaxially grown on Si(111) at normal and glancing incidence angles of the light. The silicide films were prepared by coevaporation und

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e6817f6108b8f0a52179239afca0b06
https://doi.org/10.1103/physrevb.57.4154

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání