Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"J-C. Nallatamby"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 2012 (2012)
This paper presents the design of an MMIC oscillator operating at a 38 GHz frequency. This circuit was fabricated by the III–V Lab with the new InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) submicronic technology (We=700 nm). The trans
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3daf80686ccf4e309973adc0b7db6036
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stéphane Piotrowicz, Mohamed Bouslama, C. Potier, Christophe Chang, Vincent Gillet, O. Patard, J-C. Nallatamby, Raymond Quéré, Michel Prigent
Publikováno v:
2019 49th European Microwave Conference (EuMC)
2019 49th European Microwave Conference (EuMC), Oct 2019, Paris, France. pp.567-570, ⟨10.23919/EuMC.2019.8910734⟩
2019 49th European Microwave Conference (EuMC), Oct 2019, Paris, France. pp.567-570, ⟨10.23919/EuMC.2019.8910734⟩
In this paper, the linearity and efficiency of 2 different technologies of HEMT transistors (AlGaN/GaN and InAlGaN/GaN) has been performed using multi-tone large signal measurement in C-band. The transistors size is 8x50µm with 0.15µm gate length.
Autor:
Raymond Quéré, J-C. Nallatamby, B. Bindu, Nandha Kumar Subramani, Raphaël Sommet, Amit Kumar Sahoo
Publikováno v:
2016 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMaRC)
2016 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMaRC), Dec 2016, New Delhi, France. ⟨10.1109/IMaRC.2016.7939610⟩
2016 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMaRC), Dec 2016, New Delhi, France. ⟨10.1109/IMaRC.2016.7939610⟩
A simple analytical model which validates both intrinsic and extrinsic current-voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMT is presented. The dependence of spontaneous and piezoelectric polarization effects at the heterointerface, applied gate bias and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3713fc6d838bc1bc36de0d7bf33de77d
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01935799
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01935799
Autor:
Amit Kumar Sahoo, Farid Medjdoub, Nathalie Rolland, J-C. Nallatamby, Raphaël Sommet, Nandha Kumar Subramani, Raymond Quéré
Publikováno v:
2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC).
In this paper, a comprehensive evaluation of thermal behaviour of the AlN/GaN/AlGaN high electron mobility transistors (HEMT) grown on Si and SiC substrates have been carried out through simulations and measurements. Three dimensional (3D) thermal TC
Publikováno v:
2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME)
2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, ⟨10.1109/PRIME.2016.7519485⟩
2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, ⟨10.1109/PRIME.2016.7519485⟩
In this work, we investigate the impact of GaN channel traps on the performance of AlN/GaN/AlGaN HEMT device grown on SiC substrate using two-dimensional TCAD physics based simulations. Traps specifications used here are acquired from the data report
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::36a1411ffc5ff7198fc5d8cc68f7a1d8
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01394909
https://hal-unilim.archives-ouvertes.fr/hal-01394909
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering. 12:469-474
A full analysis of a chaotic microwave oscillator based on envelope transient analysis is presented for the first time. The technique overcomes problems encountered by time domain and harmonic balance methods to simulate such kinds of circuits. A bif