Zobrazeno 1 - 10
of 287
pro vyhledávání: '"J P Gowers"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael J. Trainor, Stanley D. Brotherton, John R. A. Ayres, C. Glaister, J. P. Gowers, David J. Mcculloch, Carole Anne Fisher, M.J. Edwards
Publikováno v:
Thin Solid Films. 337:188-195
The technology for the fabrication of poly-Si TFTs on glass substrates has now reached a level of maturity such that the first commercial products are becoming available. The technology choice will be briefly reviewed and the reasons for the preferre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28d2062324a751762422900ac1c9514f
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01176-6
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01176-6
Autor:
David J. Mcculloch, J. P. Gowers, Stanley D. Brotherton, Michael J. Trainor, John R. A. Ayres
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 82:4086-4094
The influence of film thickness and incident excimer laser energy density on the properties of poly-Si thin film transistors has been investigated and a coherent pattern of behavior has been identified which establishes controlled melt-through of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af295ddcbb4a899fb778ed65bb0133fa
https://doi.org/10.1063/1.365719
https://doi.org/10.1063/1.365719
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:407-413
The crystallization of alpha -Si:H into poly-Si using an excimer laser has been examined. The resulting microstructure was found to be stratified into a large-grain surface region, formed from the liquid phase, and a fine-grain underlying layer, thou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74bba36b69ba58262114d7b997b63b6a
https://doi.org/10.1109/16.182521
https://doi.org/10.1109/16.182521
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 19:101-104
Layers of ?Si:H have been crystallised into poly-Si using a pulsed KrF excimer laser. Examination of the these layers by cross-sectional TEM has revealed a vertically stratified microstructure, with a large grain surface region crystallising from the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca569eff6787f6dbaa5c7e48d68a85ca
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90401-c
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90401-c