Zobrazeno 1 - 10
of 152
pro vyhledávání: '"J L Autran"'
Autor:
X. Litaudon, U. Fantz, R. Villari, V. Toigo, M.-H. Aumeunier, J.-L. Autran, P. Batistoni, E. Belonohy, S. Bradnam, M. Cecchetto, A. Colangeli, F. Dacquait, S. Dal Bello, M. Dentan, M. De Pietri, J. Eriksson, M. Fabbri, G. Falchetto, L. Figini, J. Figueiredo, D. Flammini, N. Fonnesu, L. Frassinetti, J. Galdón-Quiroga, R. Garcia-Alia, M. Garcia-Munoz, Z. Ghani, J. Gonzalez-Martin, E. Grelier, L. Di Grazia, B. Grove, C.L. Grove, A. Gusarov, B. Heinemann, A. Hjalmarsson, O. Hyvärinen, V. Ioannou-Sougleridis, L. Jones, H.-T. Kim, M. Kłosowski, M. Kocan, B. Kos, L. Kos, D. Kotnik, E. Laszynska, D. Leichtle, I. Lengar, E. Leon-Gutierrez, A.J. López-Revelles, S. Loreti, M. Loughlin, D. Marcuzzi, K.G. Mcclements, G. Mariano, M. Mattei, K. Mergia, J. Mietelski, R. Mitteau, S. Moindjie, D. Munteanu, R. Naish, S. Noce, L.W. Packer, S. Pamela, R. Pampin, A. Pau, A. Peacock, E. Peluso, Y. Peneliau, J. Peric, V. Radulović, D. Ricci, F. Rimini, L. Sanchis-Sanchez, P. Sauvan, M.I. Savva, G. Serianni, C.R. Shand, A. Snicker, L. Snoj, I.E. Stamatelatos, Ž. Štancar, N. Terranova, T. Vasilopoulou, R. Vila, J. Waterhouse, C. Wimmer, D. Wünderlich, A. Žohar, the NBTF Team, JET Contributors, the EUROfusion Tokamak Exploitation Team
Publikováno v:
Nuclear Fusion, Vol 64, Iss 11, p 112006 (2024)
ITER is of key importance in the European fusion roadmap as it aims to prove the scientific and technological feasibility of fusion as a future energy source. The EUROfusion consortium of labs within Europe is contributing to the preparation of ITER
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7b2c3c7ea624d37877aec9125f63924
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. L. Autran, S. Moindjie, D. Munteanu, M. Dentan, P. Moreau, F. P. Pellissier, J. Bucalossi, G. Borgese, V. Malherbe, T. Thery, G. Gasiot, P. Roche
Publikováno v:
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2021)
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2021), Jul 2021, Ottawa, Canada
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022, 69 (3), pp.1-1. ⟨10.1109/TNS.2022.3149160⟩
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2021), Jul 2021, Ottawa, Canada
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022, 69 (3), pp.1-1. ⟨10.1109/TNS.2022.3149160⟩
International audience; We conducted a real-time soft-error rate characterization of CMOS bulk 65 nm SRAMs subjected to fusion neutrons during deuterium-deuterium (D-D) plasma operation at WEST tokamak. The test equipment, installed in the experiment
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c12928b9127955de83704bfddddff4da
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-03359535
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-03359535
Autor:
Paulo F. Butzen, Rafael B. Schvittz, J.-L. Autran, Leomar S. da Rosa, Frédéric Wrobel, Y. Q. Aguiar
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2020, 114, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113871⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2020, 114, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113871⟩
Microelectronics Reliability, 2020, 114, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113871⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2020, 114, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113871⟩
International audience; This paper presents a discussion related to two different methods used to evaluate logic gate susceptibility considering Single Event Transient faults at the layout level. These methods can be adopted into radiation-hardening-
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Comptes Rendus de l'Académie des Sciences - Series IV - Physics. 1:911-927
For nowadays CMOS technologies, the gate oxide thickness has reached a few nanometer range and will be lower than 2 nm for sub-0.1 μ m generations. This scaling of the gate dielectric thickness favors the onset of physical phenomena such as gate pol
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 48:211-214
This study reports on n-channel MOS transistors using very thin oxynitride gate dielectrics deposited by Low-Pressure Rapid Thermal Chemiical Vapor Deposition (LPRTCVD). The threshold voltage, the transconductance, the fast and slow trap densities, t