Zobrazeno 1 - 10
of 696
pro vyhledávání: '"J Klos"'
Publikováno v:
IEEE electron device letters 43(12), 2149-2152 (2022). doi:10.1109/LED.2022.3217314
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0cc0cccf519b4cb11240e0bb88527d67
https://doi.org/10.1109/led.2022.3217314
https://doi.org/10.1109/led.2022.3217314
Autor:
J. Knoch, B. Richstein, Y. Han, M. Frentzen, L. R. Schreiber, J. Klos, L. Raffauf, N. Wilck, D. König, Q. T. Zhao
Publikováno v:
physica status solidi (a).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f60e2c7b7102d6f8281328593257466e
https://doi.org/10.1002/pssa.202300069
https://doi.org/10.1002/pssa.202300069
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ecosphere, Vol 8, Iss 4, Pp n/a-n/a (2017)
Abstract Elevating concentrations of atmospheric greenhouse gases are now widely acknowledged as a major cause of global warming. A warmer climate could increase the frequency, duration, and/or severity of drought and, in turn, could alter the compos
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd5549888f474245898dcab27fcbb2ce
Autor:
J. Knoch, B. Richstein, Y. Han, D. Konig, M. Frentzen, L. Hellmich, J. Klos, S. Scholz, Q.T. Zhao
Publikováno v:
2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::712b23e07abac658ac4abb16f771b923
https://doi.org/10.1109/snw56633.2022.9953898
https://doi.org/10.1109/snw56633.2022.9953898
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 9, Iss 18, p 3823 (2019)
Electrostatically-defined quantum dots (QDs) in silicon are an attractive platform for quantum computation. Localized single electron spins define qubits and provide excellent manipulation and read-out fidelities. We propose a scalable silicon-based
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0fcee80c0132438ba3550b6645688db9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.