Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge + ions

Autor: Avrutin, V.S., Izyumskaya, N.F. ^*, Vyatkin, A.F., Zinenko, V.I., Agafonov, Yu.A., Irzhak, D.V., Roshchupkin, D.V., Steinman, E.A., Vdovin, V.I., Yugova, T.G.

Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 2003 100(1):35-39

Low-temperature strain relaxation in ion-irradiated pseudomorphic SiGe/Si structures

Autor: Avrutin, V.S, Izyumskaya, N.F ^*, Vyatkin, A.F, Zinenko, V.I, Agafonov, Yu.A, Irzhak, D.V, Roshchupkin, D.V, Steinman, E.A, Vdovin, V.I, Yugova, T.G

Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 2002 89(1):350-354

Ion beam induced strain relaxation in pseudomorphous epitaxial SiGe layers.

Autor: Vyarkin, A.F., Avrutin, V.S., Izyumskaya, N.F., Egorov, V.K., Starkov, V.V., Zinenko, V.I., Smirnova, I.A., Hemment, P.L.F., Nejim, A., Vdovin, V.I., Yugova, T.G.

Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p70-72, 3p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.