Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Ivanov PP"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Antonova IV; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia.; Department of Semiconductor Devices and Microelectronics, Novosibirsk State Technical University, R Marx str. 20, Novosibirsk 630073, Russia., Shavelkina MB; Joint Institute for High Temperatures RAS, Izhorskaya st. 13 Bd.2, Moscow 125412, Russia., Ivanov AI; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia., Soots RA; Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia., Ivanov PP; Joint Institute for High Temperatures RAS, Izhorskaya st. 13 Bd.2, Moscow 125412, Russia., Bocharov AN; Joint Institute for High Temperatures RAS, Izhorskaya st. 13 Bd.2, Moscow 125412, Russia.
Publikováno v:
Nanomaterials (Basel, Switzerland) [Nanomaterials (Basel)] 2020 Oct 16; Vol. 10 (10). Date of Electronic Publication: 2020 Oct 16.
Publikováno v:
Vrachebnoe delo [Vrach Delo] 1986 Mar (3), pp. 108-11.
Publikováno v:
Veterinariia [Veterinariia] 1979 Dec (12), pp. 54-5.
Publikováno v:
Meditsinskaia sestra [Med Sestra] 1984 Apr; Vol. 43 (4), pp. 24-8.
Publikováno v:
Life sciences and space research [Life Sci Space Res] 1969; Vol. 7, pp. 99-101.