Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Ivanenko, L."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ivanenko, L ∗, Filonov, A, Shaposhnikov, V, Behr, G, Souptel, D, Schumann, J, Vinzelberg, H, Plotnikov, A, Borisenko, V
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2003 70(2):209-214
Autor:
Ivanenko, L. ∗, Shaposhnikov, V.L., Filonov, A.B., Migas, D.B., Behr, G., Schumann, J., Vinzelberg, H., Borisenko, V.E.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2002 64(1):225-232
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2002 244(3):296-304
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2001 381(2):276-281
Autor:
Arushanov, E., Ivanenko, L., Vinzelberg, H., Eckert, D., Behr, G., Rößler, U. K., Müller, K.-H., Schneider, C. M., Schumann, J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/1/2002, Vol. 92 Issue 9, p5413, 7p, 1 Chart, 10 Graphs
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The complex effect of dry and solutions of detergent (0.02, 0.2, 2 mg/dm3) on the normal beating of Unio rostratus and during the process of invasion by trematoda Bucephalus polymorphus have been investigated. It was noted that after 6 days of dry th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3109::ffd5124ead599403bb32d856adc2625e
http://ir.znau.edu.ua/handle/123456789/2813
http://ir.znau.edu.ua/handle/123456789/2813
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of crystal growth 236 (2002): 572–576.
info:cnr-pdr/source/autori:Ivanenko L., Behr G., Spinella C., Borisenko V.E./titolo:Rusi2: evidence of a new binary phase in the ruthenium-silicon system/doi:/rivista:Journal of crystal growth/anno:2002/pagina_da:572/pagina_a:576/intervallo_pagine:572–576/volume:236
info:cnr-pdr/source/autori:Ivanenko L., Behr G., Spinella C., Borisenko V.E./titolo:Rusi2: evidence of a new binary phase in the ruthenium-silicon system/doi:/rivista:Journal of crystal growth/anno:2002/pagina_da:572/pagina_a:576/intervallo_pagine:572–576/volume:236
Ru2Si3 single crystals have been grown by the zone melting technique with radiation heating. These crystals contain inclusions, about 500nm in size, which consist of monocrystalline ruthenium disilicide. Endothermic peaks detected at T = 962 °C in t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::e195348cbf088c6b218de6d1c4e60d36
https://publications.cnr.it/doc/35203
https://publications.cnr.it/doc/35203