Výsledky vyhledávání - "Ivan Garduño"

Effects of Thermal Annealing on the Density of States in Low Voltage Operating Range, High Mobility, Hf-In-ZnO/HfO2 TFTs Fabricated at Temperatures below 200 oC

Autor: Isai Salvador Hernandez, Ivan Garduño, Antonio Cerdeira, Benjamin Iñiguez, Magali Estrada

Publikováno v: Journal of Integrated Circuits and Systems. 16:1-6

In this paper, we report the effects of thermal annealing on Poly(methyl methacrylate) (PMMA) passivated, bottom gate thin film transistors, with amorphous hafnium oxide (HfO2) as gate dielectric and amorphous hafnium-indium-zinc oxide (a-HIZO) as se

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7086b9da73be3e06041b5905ea77d303
https://doi.org/10.29292/jics.v16i3.561

Zobrazit plný text záznamu

Estudio sobre los parámetros de impresión para mejorar la inyección por goteo-sobre-demanda

Autor: Salvador Ivan Garduño, Josué Fajardo Cornejo, Ventura Rodríguez-Lugo, Magali Estrada del Cueto

Publikováno v: Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI. 9:72-81

Este estudio propone la optimización de las condiciones y parámetros de impresión por inyección piezoeléctrica de tintas basadas en óxido de zinc (ZnO) y óxido de zinc dopado con aluminio (Al:ZnO). Se imprimieron patrones con distinta resoluci

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88adc6159b9474bce8c24ab07d0b0130
https://doi.org/10.29057/icbi.v9iespecial2.7919

Zobrazit plný text záznamu

Efecto del tratamiento térmico a baja temperatura para la obtención de películas delgadas de SnO

Autor: Salvador Ivan Garduño, Samuel Martínez-Arreola, Norberto Hernández-Como, Ventura Rodríguez-Lugo, Magali Estrada

Publikováno v: Pädi Boletín Científico de Ciencias Básicas e Ingenierías del ICBI. 9:110-118

Por sus ventajas, el SnO es un óxido semiconductor (OMS) usado en transistores de película delgada (TFTs) de canal-p y considerado para aplicaciones flexibles y transparentes. Aunque se deposita por varias técnicas, suele aplicarse un recocido >20

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::160d183bfcb3fd3a6631a29b7934bea2
https://doi.org/10.29057/icbi.v9iespecial2.7785

Zobrazit plný text záznamu

Threshold voltage reliability in flexible amorphous In–Ga–ZnO TFTs under simultaneous electrical and mechanical stress

Autor: Pablo Toledo, Martha Leticia Hernandez-Pichardo, Salvador Ivan Garduño, Jose Luis Hernandez-Lopez, Francisco Hernandez-Cuevas, Norberto Hernandez-Como

Publikováno v: Flexible and Printed Electronics. 7:025015

Flexible amorphous In–Ga–ZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) have been successfully demonstrated on 50 µm thick freestanding polyimide (PI) with µ sat around 10 cm2 V−1 s−1. In the literature, common characterization of flexible TFTs

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb2fe27a12258f8c3a30e52c6b638c27
https://doi.org/10.1088/2058-8585/ac7186

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání