Zobrazeno 1 - 10 of 64 pro vyhledávání: '"Itoh, Tadatsugu"'
1
Akademický článek
Backscattering measurements on Ag photodoping effect in As2S3 glass.
Autor: Yamamoto, Yasuhiro, Itoh, Tadatsugu, Hirose, Yooichi, Hirose, Haruo
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1976, Vol. 47 Issue 8, p3603-3608, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Structure of surface layers of silicon heavily implanted with Ar.
Autor: Ohdomari, Iwao, Ikeda, Masahiro, Ohno, Kohsuke, Itoh, Tadatsugu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1975, Vol. 46 Issue 12, p5065-5068, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Effect of atmospheres on arsenic diffusion into silicon from the doped oxide layer.
Autor: Itoh, Tadatsugu, Shinada, Kazuyoshi, Ohmura, Yamichi, Kirita, Kei
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1975, Vol. 46 Issue 5, p1943-1946, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Annealing behavior of unimplanted and zinc-implanted GaAs.
Autor: Itoh, Tadatsugu, Kasahara, Jiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1974, Vol. 45 Issue 11, p4915-4919, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Dual implant into GaAs with Si+ and Sn+ ions.
Autor: Shim, Tae Earn, Itoh, Tadatsugu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1989, Vol. 65 Issue 2, p486, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Photoconduction of the a-Si:H/a-C:H heterostructure.
Autor: Noda, Kenju, Nakatsugawa, Masashi, Ninomiya, Yutaka, Itoh, Tadatsugu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1987, Vol. 62 Issue 9, p3799, 4p, 3 Diagrams, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Annealing effect for heavily Sn-implanted GaAs.
Autor: Shim, Tae Earn, Itoh, Tadatsugu, Yamamoto, Yasuhiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1987, Vol. 61 Issue 9, p4635, 5p, 4 Black and White Photographs, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Epitaxial growth of Si-Ge layers on Si substrates by plasma dissociation of SiH4 and GeH4 mixture.
Autor: Suzuki, Setsu, Itoh, Tadatsugu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1983, Vol. 54 Issue 11, p6385-6389, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Ga(AsP) light-emitting diode formed by ion implantation.
Autor: Itoh, Tadatsugu, Oana, Yasuhisa
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1973, Vol. 44 Issue 11, p4982-4987, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Arsenic and Cadmium Implantations into n-Type Gallium Arsenide.
Autor: Itoh, Tadatsugu, Kushiro, Yukitoshi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1971, Vol. 42 Issue 12, p5120-5124, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje