Zobrazeno 1 - 10 of 598 pro vyhledávání: '"Ishikawa Atsushi"'
2
Report
Surface Rashba-Edelstein Spin-Orbit Torque Revealed by Molecular Self-Assembly
Autor: Haku, Satoshi, Ishikawa, Atsushi, Musha, Akira, Nakayama, Hiroyasu, Yamamoto, Takashi, Ando, Kazuya
We report the observation of a spin-orbit torque (SOT) originating from the surface Rashba-Edelstein effect. We found that the SOT in a prototypical spin-orbitronic system, a Pt/Co bilayer, can be manipulated by molecular self-assembly on the Pt surf
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2004.09852
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Report
Few Layer HfS2 FET
Autor: Kanazawa, Toru, Amemiya, Tomohiro, Ishikawa, Atsushi, Upadhyaya, Vikrant, Tsuruta, Kenji, Tanaka, Takuo, Miyamoto, Yasuyuki
Publikováno v: Scientific Reports, 6, 22277 (2016)
2D materials are expected to be favorable channel materials for field-effect transistor (FET) with extremely short channel length because of their superior immunity to short-channel effects (SCE). Graphene, which is the most famous 2D material, has n
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1505.07970
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Machine‐learning descriptor search on the density of states profile of bimetallic alloy systems and comparison with the d‐band center theory.
Autor: Ishikawa, Atsushi
Publikováno v: Journal of Computational Chemistry; Jul2024, Vol. 45 Issue 19, p1682-1689, 8p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje